[發(fā)明專利]半導體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210920766.6 | 申請日： | 2022-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN115810579A | 公開（公告）日： | 2023-03-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 崔智旻;李鐘旼;李瑌真;李全一;李周益;崔慜貞 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 史泉;張川緒 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
基底；
蝕刻停止層，在基底上，蝕刻停止層包括與基底鄰近的第一表面和與第一表面背對的第二表面；
貫穿孔電極，在與基底的上表面垂直的垂直方向上延伸穿過基底和蝕刻停止層，貫穿孔電極包括超出蝕刻停止層的第二表面的突起部分，并且突起部分是不平坦的；以及
導電墊，覆蓋貫穿孔電極的突起部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中，貫穿孔電極的突起部分是凸出的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中，貫穿孔電極的突起部分是凹入的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，還包括：絕緣圖案，覆蓋貫穿孔電極的側(cè)壁，貫穿孔電極和絕緣圖案構(gòu)成貫穿孔電極結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體裝置，其中，絕緣圖案覆蓋貫穿孔電極的突起部分的側(cè)壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體裝置，其中，絕緣圖案的覆蓋貫穿孔電極的突起部分的側(cè)壁的部分具有在與基底的上表面平行的水平方向上變化的相對于基底的上表面的斜率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體裝置，其中，導電墊接觸貫穿孔電極的突起部分，導電墊的接觸突起部分的部分是不平坦的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任何一項所述的半導體裝置，其中：
貫穿孔電極是第一貫穿孔電極，
第一貫穿孔電極的突起部分是第一突起部分，
所述半導體裝置還包括：第二貫穿孔電極，在垂直方向上延伸穿過基底和蝕刻停止層，第二貫穿孔電極具有與第一貫穿孔電極的寬度不同的寬度并且包括突起超出蝕刻停止層的第二表面的第二突起部分，并且
第二貫穿孔電極的第二突起部分是不平坦的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體裝置，其中，第一突起部分和第二突起部分具有相同的高度。
10.一種半導體裝置，包括：
基底；
蝕刻停止層，在基底上；
貫穿孔電極，在與基底的上表面垂直的垂直方向上延伸穿過基底和蝕刻停止層，貫穿孔電極包括：側(cè)壁，具有在與基底的上表面平行的水平方向上恒定的相對于基底的上表面的斜率，和上電極表面，具有在水平方向上變化的相對于基底的上表面的斜率，蝕刻停止層在基底與上電極表面之間；以及
導電墊，覆蓋貫穿孔電極的上電極表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，其中，蝕刻停止層包括與基底鄰近的第一表面和與第一表面背對的第二表面，貫穿孔電極的上表面高于蝕刻停止層的第二表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，其中，上電極表面在蝕刻停止層上方定義突起部分，突起部分是凸出的。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，其中，上電極表面在蝕刻停止層上方定義突起部分，突起部分是凹入的。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體裝置，還包括：絕緣圖案，覆蓋貫穿孔電極的側(cè)壁，貫穿孔電極和絕緣圖案構(gòu)成貫穿孔電極結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體裝置，其中，
上電極表面在蝕刻停止層上方定義突起部分，并且
絕緣圖案覆蓋貫穿孔電極的突起部分的側(cè)壁。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導體裝置，其中：
上電極表面在蝕刻停止層上方定義突起部分，并且
絕緣圖案的覆蓋突起部分的側(cè)壁的部分具有在水平方向上變化的相對于基底的上表面的斜率。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
