[發明專利]一種模擬核殼型復合磨粒拋光過程的方法

在審

• 申請號: 202210919452.4
• 申請日: 2022-08-02
• 公開（公告）號: CN115293016A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 姜勝強;王變芬;張瑋;徐志強
• 申請（專利權）人: 湘潭大學
• 主分類號: G06F30/25
• 分類號: G06F30/25
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種模擬核殼型復合磨粒拋光過程的方法，其特征在于，包括：

S1：建立工件模型，將所述工件模型賦予參數；

S2:建立核殼型復合磨粒模型，設置所述核殼型復合磨粒模型的屬性和參數；

S3:將工件模型和核殼型復合磨粒模型集成在一起，建立核殼型復合磨粒拋光工件模型；

S4:設置核殼型復合磨粒的沖擊參數，模擬拋光過程；

S5:對核殼型復合磨粒的破壞及工件的沖擊損傷進行統計分析。

2.如權利要求1所述的一種模擬核殼型復合磨粒拋光過程的方法，其特征在于，所述建立的工件模型，將所述工件模型賦予參數，具體包括：

S1101：設置第一區域大小，根據第一區域生成顆粒；

S1102：設置第一墻體區域大?。?/p>

S1103：設置所述顆粒的第一半徑，第一孔隙率，第一密度，第一阻尼；

S1104：適當擴大工件顆粒半徑；

S1105：調整接觸數少于3的浮動顆粒半徑；

S1106：設置所述生成顆粒的第一時間，建立所述工件模型；

S1107：添加顆粒粘結模型(Bonded Particle Model，BPM)，使得工件顆粒間生成平行鍵，對工件顆粒間的平行鍵參數進行設定，為所述的工件模型添加第一剛度，第一法向切向剛度比，第一摩擦系數，第一臨界阻尼比，第一法向強度，第一黏聚力，第一摩擦角；

S1108：設置工件顆粒間黏接半徑的范圍；

S1109：刪除第一墻體，使模型處于松弛狀態，獲取工件的BPM模型。

3.如權利要求1所述的一種模擬核殼型復合磨粒拋光過程的方法，其特征在于，所述建立核殼型復合磨粒模型，具體包括：

S2101：建立核殼型復合磨粒的殼層模型；

S2102：設置第二區域大??；

S2103：設置第二墻體區域大小，在第二墻體區域生成殼層顆粒；

S2104：設置所述殼層顆粒的第二半徑，第二孔隙率，第二密度，第二阻尼；

S2105：適當擴大殼層顆粒半徑；

S2106：調整接觸數少于3的浮動顆粒半徑；

S2107：設置所述生成殼層顆粒的第二時間；建立所述核殼型復合磨粒的殼層模型；

S2108：添加顆粒粘結模型建模，使得殼層顆粒間生成平行鍵；

S2109：對殼層顆粒間的平行鍵參數進行設定，將所述的核殼型復合磨粒殼層模型添加第二剛度，第二法向切向剛度比，第二摩擦系數，第二臨界阻尼比，第二法向強度，第二黏聚力，第二摩擦角；

S2110：設置殼層顆粒間黏接半徑的范圍；

S2111：刪除第二墻體使模型處于松弛狀態，獲取對應的BPM模型；

S2112：保存核殼層復合磨粒的殼層文件；

S2201：建立核殼型復合磨粒的核層模型；

S2202：調用核殼型復合磨粒的殼層文件；

S2203：設置所述核層顆粒的第三半徑，第三孔隙率，第三密度，第三阻尼；

S2204：設置第三區域大小，根據第三區域生成核層顆粒；

S2205：適當擴大核層顆粒半徑；

S2206：調整接觸數少于3的浮動顆粒半徑；

S2207：設置所述生成核層顆粒的第三時間，建立所述核殼型復合磨粒的核層模型；

S2208：添加顆粒粘結模型建模，使得核層顆粒間生成平行鍵；

S2209：對核層顆粒間的平行鍵參數進行設定，將所述的核層模型添加第三剛度，第三法向切向剛度比，第三摩擦系數，第三臨界阻尼比，第三法向強度，第三黏聚力，第三摩擦角；

S2210：設置核層顆粒間黏接半徑的范圍；

S2211：獲取對應的BPM模型；

S2301：設置核殼型復合磨粒模型的核-殼之間界面層接觸參數，針對核殼型復合磨粒外殼與內核的結合界面，采用位移軟化接觸模型；

S2401：保存核殼型復合磨粒模型。