[發(fā)明專利]一種利用超臨界CO2 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210917320.8 | 申請日: | 2022-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN115159531B | 公開(公告)日: | 2023-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許群;黃康;吳文卓 | 申請(專利權(quán))人: | 鄭州大學(xué) |
| 主分類號: | C01B33/18 | 分類號: | C01B33/18;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 鄭州豫開專利代理事務(wù)所(普通合伙) 41131 | 代理人: | 張智偉 |
| 地址: | 450001 河南省鄭州*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 臨界 co base sub | ||
本發(fā)明屬于二氧化硅玻璃加工技術(shù)領(lǐng)域,公開一種利用超臨界COsubgt;2/subgt;實現(xiàn)二氧化硅納米微球塑化變形的方法。將待處理原料二氧化硅納米微球分散到乙醇中,獲得分散液;然后將其轉(zhuǎn)移至超臨界裝置中,向超臨界裝置中注入二氧化碳,在超臨界條件下攪拌8?15h,自然冷卻至室溫后排出二氧化碳;將超臨界處理后的體系分離,將分離所得沉淀物真空冷凍干燥后,得到塑化變形后的二氧化硅。本發(fā)明直接處理商業(yè)化二氧化硅納米微球,利用超臨界二氧化碳為媒介實現(xiàn)在低溫條件下塑化變形,比采用高溫熔融法和化學(xué)刻蝕法更簡單高效且制備技術(shù)環(huán)保無污染。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于二氧化硅玻璃加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種利用超臨界CO2實現(xiàn)二氧化硅納米微球塑化變形的方法。
背景技術(shù)
氧化硅玻璃是一種化學(xué)穩(wěn)定性、透光性、絕緣性以及力學(xué)性能都非常優(yōu)異的無機材料,在軍事、工業(yè)和生活中使用廣泛。為了進一步拓展氧化硅玻璃材料在航空航天、精密光、電器件領(lǐng)域的應(yīng)用,需要開發(fā)低溫?zé)o損傷的加工方法,來實現(xiàn)光、電器件中二氧化硅玻璃微納結(jié)構(gòu)的精密構(gòu)筑。玻璃材料的加工可追溯到數(shù)千年前,但由于玻璃極高的玻璃化溫度,以及材料的脆性,主要通過熔融鑄造、化學(xué)刻蝕、激光輔助和高能離子束照射等方法加工,高達1000?℃的高溫和化學(xué)腐蝕性極易對器件造成損傷,加工難度高,需要復(fù)雜的設(shè)備和高昂的成本。在二氧化硅玻璃加工中,為了實現(xiàn)綠色環(huán)保,且破壞性小并能降低成本的目的,要用一種能夠在較低溫度下實現(xiàn)玻璃塑化變形的技術(shù),這仍然是一種挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷與不足,本發(fā)明的目的在于提供一種利用超臨界CO2實現(xiàn)二氧化硅納米微球塑化變形的方法。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:
一種利用超臨界CO2實現(xiàn)二氧化硅納米微球塑化變形的方法:將待處理原料二氧化硅納米微球分散到乙醇中,獲得分散液;然后將其轉(zhuǎn)移至超臨界裝置中,向超臨界裝置中注入二氧化碳,在超臨界條件下攪拌8-15h,自然冷卻至室溫后排出二氧化碳;將超臨界處理后的體系分離,將分離所得沉淀物真空冷凍干燥后,得到塑化變形后的二氧化硅。
較好地,所述二氧化硅納米微球為中空介孔二氧化硅納米微球(微球粒徑為10-100?nm,介孔直徑為2-8nm)。
較好地,所述乙醇的體積分數(shù)為50-90v%。
較好地,分散液中,二氧化硅納米微球的濃度為0.5-5.0mg/?mL。
較好地,所述分散采取超聲分散,超聲時間為10-30min。
較好地,所述超臨界條件的參數(shù)為:溫度32-50℃、壓力18-24MPa。
較好地,所述分離為離心分離,離心速率為6000-12000rpm,離心時間為5-15min。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有如下優(yōu)點:
本發(fā)明直接處理商業(yè)化二氧化硅納米微球,利用超臨界二氧化碳為媒介實現(xiàn)在低溫條件下塑化變形,比采用高溫熔融法和化學(xué)刻蝕法更簡單高效且制備技術(shù)環(huán)保無污染;本發(fā)明制備得到的塑化變形后的二氧化硅具有較大的尺寸;在整個制備過程中,本發(fā)明簡單易行,操作條件溫和,環(huán)保無污染,能有效推動二氧化硅玻璃材料的精密加工技術(shù)發(fā)展,在航空航天、光、電器件等領(lǐng)域有重大的應(yīng)用前景。
附圖說明
圖1:原料二氧化硅納米微球的TEM圖。
圖2:本發(fā)明實施例1超臨界二氧化碳處理后的二氧化硅納米微球的TEM圖。
圖3:本發(fā)明對照例1超臨界二氧化碳處理后的二氧化硅納米微球的TEM圖。
圖4:本發(fā)明對照例2超臨界二氧化碳處理后的二氧化硅納米微球的TEM圖。
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