[發明專利]一種提高碳鏈產率的方法有效
| 申請號: | 202210917268.6 | 申請日: | 2022-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN115340086B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發明(設計)人: | 石磊;張紀甌;李璇 | 申請(專利權)人: | 中山大學 |
| 主分類號: | C01B32/168 | 分類號: | C01B32/168 |
| 代理公司: | 深圳市創富知識產權代理有限公司 44367 | 代理人: | 范偉民 |
| 地址: | 510275 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 碳鏈產率 方法 | ||
本發明屬于碳納米材料技術領域,具體涉及一種提高碳鏈產率的方法。為進一步提高碳鏈產率,本發明首先對單壁碳納米管進行高溫熱處理,使其發生結構轉化延變成為雙壁碳納米管,再將雙壁碳納米管置于含氧環境下進行氧化處理,使其表面制造出缺陷,最后對氧化處理過的碳納米管進行高溫退火處理,從而在雙壁碳納米管中形成碳鏈。本發明在高溫退火合成碳鏈之前,先通過熱處理和氧化處理進行結構轉化和制造缺陷,從而實現了提高碳鏈產率的目的,使碳鏈的產率達到現有技術產率的3?12倍,進而解決了現有碳鏈的合成方法中存在的產率低的缺陷。
技術領域
本發明屬于碳納米材料技術領域,具體涉及一種提高碳鏈產率的方法。
背景技術
碳鏈是一種由碳原子組成的一維材料,具有優異的光學、電學、力學特性。其中,由碳碳一三鍵構成的碳鏈是一種半導體,其帶隙大小可由碳鏈的長度、兩端的化學基團和周圍的環境調控,有望成為制造單原子寬度晶體管的材料。
當前,合成碳鏈的方式主要有兩種,一種為有機合成,另一種為碳納米管內限域合成。后者是利用碳納米管內部的一維空間,在高溫下退火,將碳原子在限域空間內進行線性排列,從而合成碳鏈。但該技術存在碳鏈產率低的問題。為此,有研究通過在碳納米管內填充有機溶劑,有機溶劑在高溫下分解后為碳鏈提供額外的碳源,從而達到提高碳鏈產率的目的。這種方法雖然在一定程度上提高了碳鏈的產率(以丙醛、丙酮等作為填充分子,成功獲得了比起現有技術水平高出接近三倍的長碳鏈產率),但提高的幅度仍不夠大,且有機溶劑的使用可能會污染環境,因此有必要進一步提高碳鏈的產率。
發明內容
為了克服上述現有技術的不足,本發明提出了一種提高碳鏈產率的方法,在高溫退火合成碳鏈前,先進行高溫熱處理和氧化處理,從而提高碳鏈的產率,克服了僅僅利用高溫退火合成的碳鏈產率低的缺陷。
為了實現上述目的,本發明所采用的技術方案是:
本發明提供了一種提高碳鏈產率的方法,即首先對單壁碳納米管進行高溫熱處理促進結構轉化,再通過氧化處理制造缺陷,最后再進行高溫退火處理。
作為本發明的一個優選實施方式,上述提高碳鏈產率的方法包括以下步驟:
S1、在惰性氣體氣氛或真空中對單壁碳納米管進行高溫熱處理,在其內部形成新的小直徑碳納米管,得到雙壁碳納米管;
S2、在含氧氣氛中對步驟S1的雙壁碳納米管進行氧化處理,使其表面氧化形成缺陷,得到表面具有缺陷的雙壁碳納米管;
S3、在惰性氣體氣氛或真空中對步驟S2的表面具有缺陷的雙壁碳納米管進行高溫退火處理,使其在高溫下重構,從而在其內部合成碳鏈。
優選地,所述單壁碳納米管的直徑為1.3-1.7nm。
優選地,步驟S1中,所述高溫熱處理的溫度為1300-1400℃,時間為1-3h。
優選地,步驟S2中,所述氧化處理的溫度為500-600℃,時間為20-60min。
優選地,步驟S3中,所述高溫退火處理的溫度為1500-1600℃,時間為1-3h。其中,高溫退火處理的溫度要高于高溫熱處理的溫度。
本發明在高溫退火合成碳鏈前,先進行高溫熱處理(增加結構轉化)和氧化處理(制造缺陷),將碳鏈的產率提高了3-10倍,從而克服了僅僅利用高溫退火合成的碳鏈產率低的缺陷。
優選地,步驟S2中,所述含氧氣氛中,氧氣的體積含量為20%-100%。更優選地,所述含氧氣氛為空氣氣氛。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中山大學,未經中山大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210917268.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:洗浴龍頭
- 下一篇:一種低空無人機監視和航跡預測方法





