[發明專利]存儲器裝置、存儲器控制器和糾正數據錯誤的方法

在審

• 申請號: 202210916375.7
• 申請日: 2022-08-01
• 公開（公告）號: CN115732016A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 金浩淵
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;李競飛

公開了一種存儲器裝置、一種糾正數據錯誤的方法和一種存儲器控制器。該存儲器裝置包括：存儲器模塊，其包括存儲器陣列和存儲器控制器。存儲器控制器包括故障檢測器。故障檢測器包括：第一反轉器，其通過讀取并反轉讀取數據來生成反轉讀取數據；第一緩沖器，其存儲讀取數據并提供緩沖數據；XOR運算器，其接收緩沖數據，接收讀出反轉讀取數據，并對緩沖數據和讀出反轉讀取數據執行XOR運算以生成計算數據；故障地址檢測單元，其響應于計算數據來識別故障地址并生成故障地址信息；第二反轉器，其通過接收并反轉讀出反轉讀取數據來生成反轉讀出反轉讀取數據；以及錯誤模式改變單元，其將不可糾錯(UE)原因數據轉換成可糾錯(CE)原因數據。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2021年8月26日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2021-0112890的優先權，所述申請的主題以引用其全部的方式并入本文中。

技術領域

本公開涉及存儲器控制器和包括該存儲器控制器的存儲器裝置。

背景技術

組件故障是存儲器裝置中的錯誤的最常見原因之一。故障組件可包括存儲器系統中的存儲器裝置之間的故障存儲器芯片和/或故障數據路徑。在這點上，錯誤數據路徑可能由錯誤引腳、錯誤數據跡線和/或錯誤布線引起。

如果組成存儲器芯片中的一個或多個是有故障的，則在包括多個存儲器芯片的存儲器模塊中可能發生錯誤。即，由于有故障的存儲器芯片，可能出現永久故障(或硬錯誤)。永久故障可僅限于單個位或位的單個列，但是可影響存儲器裝置(例如，動態隨機存取存儲器(RAM)(DRAM)裝置)的不同芯片中的相同位置處的多個位。

因此，為了提高糾錯的可靠性，存在對更精確地檢測存儲器裝置(例如DRAM裝置)中的永久故障的位置的需要。

發明內容

本公開的實施例提供了能夠提高糾錯可靠性的存儲器控制器，本公開的其它實施例提供了能夠提供提高的糾錯可靠性的存儲器模塊，并且本公開的另外的其它實施例提供了能夠提高糾錯可靠性的存儲器裝置。

然而，本公開的實施例不限于本文明確闡述的實施例。

根據本公開的實施例，提供了一種存儲器裝置，包括：存儲器模塊，其包括存儲器陣列和存儲器控制器，其中，存儲器陣列包括多個存儲器單元，存儲器控制器從多個存儲器單元中的存儲器單元檢索讀取數據，其中，存儲器控制器包括故障檢測器，故障檢測器檢測與存儲器單元中的提供數據錯誤的故障存儲器單元相關聯的故障地址。故障檢測器包括；第一反轉器，其通過讀取并反轉讀取數據來生成反轉讀取數據，其中，反轉讀取數據被存儲在存儲器陣列中；第一緩沖器，其存儲讀取數據并提供緩沖數據；XOR運算器，其從第一緩沖器接收緩沖數據，接收通過讀取存儲在存儲器陣列中的反轉讀取數據而生成的讀出反轉讀取數據，并對緩沖數據和讀出反轉讀取數據執行XOR運算以生成計算數據；故障地址檢測單元，其響應于計算數據來識別故障地址并生成故障地址信息；第二反轉器，其通過接收并反轉讀出反轉讀取數據來生成反轉讀出反轉讀取數據；以及錯誤模式改變單元，其將不可糾錯(UE)原因數據轉換成可糾錯(CE)原因數據。