[發明專利]基于SOI工藝的帶隙基準電路有效
| 申請號： | 202210916012.3 | 申請日： | 2022-08-01 |
| 公開（公告）號： | CN114967819B | 公開（公告）日： | 2022-10-25 |
| 發明（設計）人： | 項勇;陳浪;戈澤宇;劉輝;唐玖虎;汪智斌 | 申請（專利權）人： | 蘇州悉芯射頻微電子有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 邢彬 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市昆山開發區慶*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 soi 工藝 基準 電路 | ||
1.基于SOI工藝的帶隙基準電路，其特征在于：采用帶隙基準核心電路和驅動增強電路構成，所述帶隙基準核心電路包括負反饋支路與正反饋支路，所述負反饋支路采用橫向正偏二極管D1、橫向正偏二極管D2、橫向正偏二極管D3、橫向正偏二極管D4、橫向正偏二極管D5、橫向正偏二極管D6、橫向正偏二極管D7、橫向正偏二極管D8，電阻R1、電阻R2和誤差放大器OP組成，所述橫向正偏二極管D1、橫向正偏二極管D2、橫向正偏二極管D3、橫向正偏二極管D4、橫向正偏二極管D5、橫向正偏二極管D6、橫向正偏二極管D7、橫向正偏二極管D8相互并聯，且與電阻R1、電阻R2串聯；所述正反饋支路包括橫向正偏二極管D9、電阻R3和誤差放大器OP，所述電阻R3與橫向正偏二極管D9串聯，所述誤差放大器OP的負端連入負反饋支路，所述誤差放大器OP的正端連入正反饋支路；所述驅動增強電路采用橫向正偏二極管D10、電阻R4、電容C1、P型MOS管MP1、N型MOS管MN1、N型MOS管MN2構成，所述誤差放大器OP的輸出端連接P型MOS管MP1的柵極，所述P型MOS管MP1的源極連接電源VDD，所述P型MOS管MP1的漏極連接N型MOS管MN1的漏極和柵極，所述N型MOS管MN1和N型MOS管MN2構成鏡像電流對，所述N型MOS管MN1源極連接電阻R4和橫向正偏二極管D10，所述N型MOS管MN2的漏極連接電源VDD，所述N型MOS管MN2的源極連接基準電壓VBG，所述電容C1用于補償環路的頻率響應；
所述誤差放大器OP由偏置電流源IB1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5和N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5、N型MOS管MN6組成，所述N型MOS管MN5、N型MOS管MN6構成誤差放大器OP的輸入端，所述P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、P型MOS管MP5構成疊層電流鏡，誤差電流通過疊層電流鏡轉換成反饋電壓輸出VG，所述N型MOS管MN3、N型MOS管MN4構成電流緩沖器。
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