[發明專利]具有柵控集電極的橫向雙極型晶體管

在審

• 申請號: 202210915316.8
• 申請日: 2022-08-01
• 公開（公告）號: CN115719761A
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: A·德里克森;V·杰恩;J·R·霍爾特;J·辛格;楊滿圭
• 申請（專利權）人: 格芯（美國）集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L29/735
• 分類號: H01L29/735;H01L29/737;H01L29/08;H01L21/331
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 賀月嬌;牛南輝

1.一種結構，包括：

外基極區，其豎直地位于半導體襯底上方，并且包括位于所述外基極區的相反側壁上的非對稱側壁間隔物；

集電極區，其位于所述半導體襯底上，并通過所述非對稱側壁間隔物中的至少第一間隔物與所述外基極區分隔開；以及

發射極區，其位于所述半導體襯底上，并通過所述非對稱側壁間隔物中的第二間隔物與所述外基極區分隔開。

2.根據權利要求1所述的結構，其中所述外基極區包括P+摻雜多晶硅材料。

3.根據權利要求2所述的結構，還包括鄰近所述集電極區并電連接到所述集電極區的柵極結構，所述柵極結構還將所述集電極區與所述外基極區分隔開。

4.根據權利要求3所述的結構，還包括位于所述柵極結構下方的摻雜半導體集電極接觸區，所述摻雜半導體集電極接觸區將所述柵極結構電連接到所述集電極區。

5.根據權利要求4所述的結構，還包括到所述柵極結構的柵極接觸。

6.根據權利要求3所述的結構，還包括位于所述柵極結構上的側壁間隔物，其中所述側壁間隔物將所述柵極結構與所述集電極區分隔開，并且所述第一間隔物將所述柵極結構與所述外基極區分隔開。

7.根據權利要求6所述的結構，其中所述第一間隔物不同于所述側壁間隔物。

8.根據權利要求6所述的結構，其中所述側壁間隔物和所述第二間隔物具有相同的材料。

9.根據權利要求1所述的結構，還包括鄰近所述第一側壁間隔物并且電接觸所述集電極區的多晶硅間隔物。

10.根據權利要求9所述的結構，還包括位于所述多晶硅間隔物上的側壁間隔物，其中所述側壁間隔物將所述集電極區與所述多晶硅間隔物分隔開，并且所述第一間隔物將所述柵極結構與所述外基極結構分隔開。

11.根據權利要求9所述的結構，還包括位于所述多晶硅間隔物下方的摻雜半導體接觸區，所述摻雜半導體接觸區將所述多晶硅間隔物連接到所述集電極區。

12.根據權利要求11所述的結構，還包括電連接到所述多晶硅間隔物的接觸。

13.根據權利要求1所述的結構，還包括位于所述外基極區豎直下方的內基極區，其中所述內基極區包括SiGe。

14.一種結構，包括：

外基極區，其豎直地位于包括絕緣體上半導體襯底材料的內基極區上方；

抬升型集電極區，其位于所述絕緣體上半導體襯底材料上；

抬升型發射極區，其位于所述絕緣體上半導體襯底材料上；

第一結構，其將所述外基極區與所述抬升型發射極區電隔離；以及

第二結構，其將所述外基極區與所述抬升型集電極區電隔離，所述第二結構具有與所述第一結構不同的組成。

15.根據權利要求14所述的結構，其中所述第一結構包括側壁間隔物，并且所述第二結構包括具有非對稱側壁間隔物的柵極結構，所述柵極結構電連接到所述抬升型集電極區。

16.根據權利要求15所述的結構，其中所述側壁間隔物不同于所述柵極結構與所述外基極區之間的所述非對稱側壁間隔物之一。

17.根據權利要求14所述的結構，其中所述第一結構包括側壁間隔物，并且所述第二結構包括電連接到所述抬升型集電極區的多晶硅間隔物。