[發(fā)明專利]晶圓的熱處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210913995.5 | 申請日: | 2022-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN115206848B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李海衛(wèi);冀建民;劉春峰;么曼實 | 申請(專利權(quán))人: | 北京屹唐半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京易光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11596 | 代理人: | 王一;武晨燕 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
1.一種晶圓的熱處理裝置,其特征在于,包括:
腔體,具有相對設(shè)置的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁,所述第一側(cè)壁沿豎直方向間隔開設(shè)有第一開口和第二開口,所述第二側(cè)壁上開設(shè)有第三開口,所述第一開口與所述第三開口沿水平方向相對設(shè)置且與所述腔體內(nèi)部的腔室連通;
第一微波發(fā)生器,與所述第一開口連接,用于向所述腔室輸送等離子體;
第二微波發(fā)生器,與所述第二開口連接,用于向所述腔室輸送等離子體;
托盤,可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在所述腔室內(nèi),所述托盤的第一端面用于支撐晶圓;
泵體,與所述第三開口連接;
加熱部,與所述腔體連接,用于加熱所述晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁沿水平方向相對設(shè)置,所述第一開口開設(shè)于所述第一側(cè)壁的中部位置,所述第二開口開設(shè)于所述第一側(cè)壁的頂部位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一側(cè)壁上還開設(shè)有至少一個第四開口,所述第四開口與所述第三開口沿水平方向相對設(shè)置,所述第四開口用于向所述腔室輸送氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括:
第一勻流板,設(shè)置在所述腔室內(nèi)靠近所述第一開口的位置處,所述第一勻流板的端面與所述第一開口相對,所述第一勻流板的端面上開設(shè)有多個導(dǎo)流孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括:
聚氣環(huán),設(shè)置在所述托盤的上方且沿水平方向布置,所述聚氣環(huán)包括進(jìn)氣口和多個出氣孔,所述進(jìn)氣口通過所述聚氣環(huán)內(nèi)部形成的環(huán)空與所述多個出氣孔連通,所述進(jìn)氣口與所述第二開口連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于,還包括:
第二勻流板,設(shè)置在所述聚氣環(huán)和所述托盤之間,所述第二勻流板的端面上開設(shè)有多個導(dǎo)流孔,所述第二勻流板的端面與所述聚氣環(huán)的多個出氣孔位置相對。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的裝置,其特征在于,還包括:
加熱環(huán),通過抬升機(jī)構(gòu)與所述托盤的第一端面連接,所述加熱環(huán)用于套設(shè)在所述晶圓的外圍,所述抬升機(jī)構(gòu)用于調(diào)整所述加熱環(huán)與所述晶圓的相對位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其特征在于,所述抬升機(jī)構(gòu)包括底座和支臂,所述底座與所述腔體連接,所述支臂與所述底座可轉(zhuǎn)動地連接,所述支臂的一端與所述加熱環(huán)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的裝置,其特征在于,所述加熱部包括第一加熱燈和第二加熱燈,所述腔體具有沿豎直方向相對設(shè)置的頂面和底面,所述第一加熱燈與所述頂面連接,所述第二加熱燈與所述底面連接;所述托盤位于所述第一加熱燈和所述第二加熱燈之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,其特征在于,所述第一加熱燈朝向所述腔室內(nèi)部的一側(cè)端面上設(shè)置有第一石英板,所述第二加熱燈朝向所述腔室內(nèi)部的一側(cè)端面上設(shè)置有第二石英板。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的裝置,其特征在于,所述加熱部還包括第三加熱燈,環(huán)設(shè)在所述腔體的側(cè)壁上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的裝置,其特征在于,還包括:
氣浮旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),設(shè)置在所述腔室內(nèi),且與所述托盤的第二端面對應(yīng)設(shè)置;所述氣浮旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)具有多個噴嘴,所述多個噴嘴與供氣管路連接,所述多個噴嘴用于驅(qū)動所述托盤懸浮并旋轉(zhuǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的裝置,其特征在于,還包括:
傳感器,與所述腔體連接,所述傳感器的檢測端延伸至所述腔室。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





