[發(fā)明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210911273.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-07-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115394936A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-11-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曾洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖北長(zhǎng)江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52;H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底、位于所述襯底一側(cè)的平坦層、位于所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的像素界定層、位于所述像素界定層遠(yuǎn)離所述平坦層一側(cè)的第一電極層和位于所述第一電極層遠(yuǎn)離所述像素界定層一側(cè)的黑矩陣層;
所述黑矩陣層設(shè)置第一開(kāi)孔;
所述第一電極層包括第一部分,所述第一部分與所述第一開(kāi)孔交疊,所述第一部分的表面為非平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一部分包括曲面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述曲面為球面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述曲面的截面為半圓或者劣弧,所述截面垂直于所述襯底所在平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
沿垂直于所述襯底所在平面的視線方向,所述第一部分的形狀為圓形或者橢圓形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,
所述圓形的直徑大于或者等于所述第一開(kāi)孔的尺寸;或者,
所述橢圓形的長(zhǎng)軸大于或者等于所述第一開(kāi)孔的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板,其特征在于,
所述圓形的面積大于或等于所述第一開(kāi)孔的面積,兩者之間的間距滿足:大于或等于0μm,且小于或等于2μm;或者,
所述橢圓形的面積大于或等于所述第一開(kāi)孔的面積,兩者之間的間距滿足:大于或等于0μm,且小于或等于2μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述曲面包括第一位點(diǎn),所述曲面在所述第一位點(diǎn)的切線與襯底所在平面之間的夾角為α,α0;
所述第一位點(diǎn)與所述第一開(kāi)孔之間的水平距離分別為V1和V2,其中,V1V2;
所述第一位點(diǎn)與所述黑矩陣層之間的垂直距離為H1;
α≥arctan(V1/H1)*1/2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一部分的表面包括凹面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板,其特征在于,
所述凹面的數(shù)量至少為2,相鄰凹面之間的接合部與所述第一開(kāi)孔交疊,所述凹面包括與所述第一開(kāi)孔交疊的部分和與所述黑矩陣層交疊的部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
在第一方向上,所述第一部分包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè),沿由所述第一側(cè)指向所述第二側(cè)的方向,所述第一部分與所述黑矩陣層之間的垂直距離逐漸增大,所述第一方向平行于所述襯底所在平面的方向。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一部分的表面為斜面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板,其特征在于,
所述斜面的水平尺寸為V3,垂直尺寸為H2,其中,V3H2。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板,其特征在于,
所述斜面與水平面之間的夾角滿足[5°,90°)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一電極層還包括第二部分和第三部分,所述第二部分與所述第一部分于所述第一側(cè)相接,所述第三部分與所述第一部分于所述第二側(cè)相接,所述第二部分的高度高于所述第三部分的高度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





