[發(fā)明專利]自舉電容充電方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210910614.8 | 申請日: | 2022-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN115296384A | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 崔學濤;華要宇;劉仍慶;王魯泮;史慶鵬 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分類號: | H02J7/34 | 分類號: | H02J7/34;H02J7/00;H02M1/36 |
| 代理公司: | 北京市萬慧達律師事務(wù)所 11111 | 代理人: | 勞奕琴 |
| 地址: | 215168 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容 充電 方法 裝置 計算機 設(shè)備 存儲 介質(zhì) | ||
本申請涉及一種自舉電容充電方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。所述方法應(yīng)用于升降壓電路,所述方法包括:基于所述升降壓電路,獲取導通場效晶體管所需的電量值、自舉電容的電容值及米勒平臺電壓值;基于所述自舉電容的電容值、所述場效晶體管所需的電量值、及所述米勒平臺電壓值,獲取所述自舉電容的充電周期;基于所述自舉電容的充電周期,對所述升降壓電路進行降壓模式與升壓模式的周期性切換,以實現(xiàn)自舉電容充電。所述方法具有在不影響升降壓轉(zhuǎn)換器效率的前提下,能夠?qū)崿F(xiàn)給自舉電容充電的有益效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種自舉電容充電方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)
在四開關(guān)buck-boost變換器中,上橋臂開關(guān)管的驅(qū)動需要用到自舉升壓電路來實現(xiàn)。圖1所示是一種四開關(guān)buck-boost變換器電路,即升降壓電路,Q1和Q2組成buck橋臂的上下開關(guān)管,其驅(qū)動信號成互補關(guān)系,Q3和Q4組成boost橋臂的上下開關(guān)管,其驅(qū)動信號成互補關(guān)系。當電Q2導通時,Q1關(guān)斷,輸入電壓VIN通過肖特基二極管D1向自舉電容C1充電,忽略掉二極管壓降,此時Vboot1的電壓即C1兩端的電壓為5V;當Q2關(guān)斷時,控制器發(fā)出PWM信號驅(qū)動Q1導通,Vboot1則向Q1提供驅(qū)動電壓,隨著Q1導通壓降的不斷下降,Q1源極電壓不斷升高,Vboot1電壓也不斷上升,Q1完全導通時,Q1源極電壓抬高到VIN,Vboot1電壓被電容C1抬高到Vin+5V,整個過程稱為自舉升壓過程。
四開關(guān)buck-boost變換器有三種工作模式:當輸出小于輸入,電路工作在降壓模式(buck模式),Q1、Q2交替導通,Q3一直導通,Q4一直關(guān)閉;當輸出與輸入接近,電路工作在升降壓模式(buck-boost模式),一個周期內(nèi)的前半周Q1、Q2交替導通,后半周Q3、Q4交替導通;當輸出大于輸入,電路工作在boost模式,Q3、Q4交替導通,Q1一直導通,Q2一直關(guān)閉。無論是在buck模式下,還是在boost模式下,都只能實現(xiàn)對四管升降壓電路(四管buck-boost電路)中的某一個自舉電容的充電。但是,當四管buck-boost電路中任一個自舉電容的電亮消耗完畢后,整個四管buck-boost電路就無法工作。
因此,急需要提出一種在不影響升降壓轉(zhuǎn)換器效率的前提下,能夠?qū)崿F(xiàn)給自舉電容充電的自舉電容充電方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對上述技術(shù)問題,提供一種能夠在不影響升降壓轉(zhuǎn)換器效率的前提下,能夠?qū)崿F(xiàn)給自舉電容充電的自舉電容充電方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。
一方面,提供一種自舉電容充電方法,所述方法包括:
步驟A:基于所述升降壓電路,獲取導通場效晶體管所需的電量值、自舉電容的電容值及米勒平臺電壓值;
步驟B:基于所述自舉電容的電容值、所述場效晶體管所需的電量值、及所述米勒平臺電壓值,獲取所述自舉電容的充電周期;
步驟C:基于所述自舉電容的充電周期,對所述升降壓電路進行降壓模式與升壓模式的周期性切換,以實現(xiàn)自舉電容充電。
在其中一個實施例中,還包括:基于下式,獲取所述自舉電容的充電周期:
ΔQ=C×ΔU=C×(5-Vplanteau)
其中,N表示自舉電容的充電周期數(shù);C表示自舉電容的電容值,Vplanteau表示米勒平臺電壓值;Qg表示導通場效晶體管所需的電量值,ΔQ表示所述自舉電容可用于驅(qū)動所述場效晶體管的電量,ΔU表示自舉電容的電壓變化量。
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