[發明專利]基于金屬網格互聯的兩端式疊層太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 202210910284.2 | 申請日: | 2022-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN115312563A | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發明(設計)人: | 高鵬;宋志成;郭永剛;劉大偉;張春福;倪玉鳳;張敏;楊超;劉建達;張博 | 申請(專利權)人: | 青海黃河上游水電開發有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司西寧太陽能電力分公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司西安太陽能電力分公司;西安電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L27/30 | 分類號: | H01L27/30;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;黃進 |
| 地址: | 810008 青*** | 國省代碼: | 青海;63 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 金屬 網格 兩端 式疊層 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于金屬網格互聯的兩端式疊層太陽能電池,其特征在于,包括鈣鈦礦底電池、金屬網格互聯層和有機頂電池;所述金屬網格互聯層沉積形成在所述鈣鈦礦底電池上,所述有機頂電池鍵合結合在所述金屬網格互聯層上。
2.根據權利要求1所述的兩端式疊層太陽能電池,其特征在于,所述金屬網格互聯層的材料選自鎳、銅、金、銀、鈦金屬以及以上金屬的氧化物中的任意一種。
3.根據權利要求2所述的兩端式疊層太陽能電池,其特征在于,所述金屬網格互聯層的厚度為10nm~300nm,所述金屬網格互聯層是由金屬絲線交叉分布形成的形狀規則的網格,金屬絲線的線寬為5μm~30μm。
4.根據權利要求1所述的兩端式疊層太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦底電池包括依次疊層設置的第一導電玻璃基底、第一電子傳輸層、鈣鈦礦光吸收層、第一空穴傳輸層、傳輸緩沖層、第一透明導電層和頂電極層,所述第一導電玻璃基底上連接有第一引出電極;所述有機頂電池包括依次疊層設置的第二導電玻璃基底、第二空穴傳輸層、有機光吸收層、第二電子傳輸層和第二透明導電層,所述第二導電玻璃基底上連接有第二引出電極;其中,所述金屬網格互聯層沉積形成在所述頂電極層上,所述第二透明導電層鍵合結合在所述金屬網格互聯層上。
5.根據權利要求1所述的兩端式疊層太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦底電池包括依次疊層設置的第一導電玻璃基底、第一空穴傳輸層、鈣鈦礦光吸收層、第一電子傳輸層、傳輸緩沖層、第一透明導電層和頂電極層,所述第一導電玻璃基底上連接有第一引出電極;所述有機頂電池包括依次疊層設置的第二導電玻璃基底、第二電子傳輸層、有機光吸收層、第二空穴傳輸層和第二透明導電層,所述第二導電玻璃基底上連接有第二引出電極;其中,所述金屬網格互聯層沉積形成在所述頂電極層上,所述第二透明導電層鍵合結合在所述金屬網格互聯層上。
6.根據權利要求4或5所述的兩端式疊層太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦底電池中,所述第一導電玻璃基底為ITO導電玻璃,所述第一電子傳輸層的材料為SnO2,所述鈣鈦礦光吸收層的材料為MA0.72FA0.28Pb(I0.85Cl0.15)3或FA0.83Cs0.17PbI2.8Cl0.2,所述第一空穴傳輸層的材料為Spiro-OMeTAD,所述傳輸緩沖層的材料為MoOx,第一透明導電層的材料為IZO,所述頂電極層和所述第一引出電極的材料為Ag;
所述有機頂電池中,所述第二導電玻璃基底為ITO導電玻璃,所述第二空穴傳輸層的材料為PEDOT:PSS,所述有機光吸收層的材料為PM6:Y6,所述第二電子傳輸層的材料為PNDIT-F3N,所述第二透明導電層的材料為IZO,所述第二引出電極的材料為Ag。
7.根據權利要求6所述的兩端式疊層太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦底電池中,所述第一導電玻璃基底的厚度為0.5mm~1mm且具有50nm~200nm厚的ITO導電層,所述第一電子傳輸層的厚度為50nm~100nm,所述鈣鈦礦光吸收層的厚度為100nm~800nm,所述第一空穴傳輸層的厚度為10nm~100nm,所述傳輸緩沖層的厚度為10nm~80nm,第一透明導電層的厚度為50nm~200nm,所述頂電極層和所述第一引出電極的厚度分別為30nm~150nm;
所述有機頂電池中,所述第二導電玻璃基底的厚度為0.5mm~1mm且具有50nm~200nm厚的ITO導電層,所述第二空穴傳輸層的厚度為10nm~100nm,所述有機光吸收層的厚度為300nm~600nm,所述第二電子傳輸層的厚度為50nm~100nm,所述第二透明導電層的厚度為50nm~200nm,所述第二引出電極的厚度為30nm~150nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





