[發明專利]一種顯示面板及其制作方法在審
| 申請號: | 202210908618.2 | 申請日: | 2022-07-29 |
| 公開(公告)號: | CN115411073A | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發明(設計)人: | 許瑾;蔡明瀚;趙學森;蕭智鴻;周小康;魏現鶴;張先平;王宏宇;朱修劍 | 申請(專利權)人: | 合肥維信諾科技有限公司;昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣東君龍律師事務所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
| 地址: | 230001 安徽省合*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
襯底;
第一電極,層疊設置于襯底一側;
像素定義層,層疊設置于所述第一電極背離所述襯底一側,所述像素定義層包括多個像素開口,且所述第一電極具有從所述像素開口中露出的第一區域;
其中,定義位于所述第一區域的所述第一電極背離所述襯底一側表面為第一表面,位于所述第一區域的所述第一電極面向所述襯底一側表面為第二表面,所述第一表面的平坦度低于所述第二表面的平坦度。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一表面的平坦度小于5nm。
3.根據權利要求1或2所述的顯示面板,其特征在于,
在所述層疊方向上,所述第一電極包括層疊設置的至少兩層子電極層;其中,位于所述第一區域的至少一個所述子電極層背離所述襯底一側表面的平坦度小于位于所述第一區域的同一所述子電極層面向所述襯底一側表面的平坦度。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
在所述層疊方向上,所述第一電極包括層疊設置的三層子電極層,且中間一層所述子電極層的平均厚度大于其余子電極層的平均厚度;
其中,位于所述第一區域中所述中間一層的所述子電極層背離所述襯底一側表面的平坦度小于位于所述第一區域中所述中間一層的所述子電極層面向所述襯底一側表面的平坦度。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,
所述中間一層的材質包括銀,其余所述子電極層的材質包括氧化銦錫ITO。
6.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示面板還包括:
陣列層,位于所述第一電極和所述襯底之間,包括金屬走線和絕緣層;
其中,所述金屬走線包括第一走線部,所述第一走線部在所述第一電極上的正投影位于所述第一區域內;
所述絕緣層包裹所述金屬走線;所述絕緣層包括位于所述第一走線部背離所述襯底一側表面的第一絕緣部以及位于所述金屬走線和第一絕緣部周側的第二絕緣部;其中,所述第一絕緣部的厚度小于所述第二絕緣部的厚度。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一絕緣部的絕緣性能大于所述第二絕緣部的絕緣性能;
優選地,所述第一絕緣部包括層疊設置的第一子層和第二子層,所述第一子層位于所述第一走線部和所述第二子層之間,且所述第一子層的疏水性和絕緣性大于所述第二子層;
優選地,所述第二絕緣部包括層疊設置的第三子層和第四子層,所述第三子層的厚度與所述第一走線部和所述第一子層的厚度相同,所述第二子層與所述第四子層的材質相同,且所述第二子層的厚度大于等于所述第四子層的厚度。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,
所述第一走線部背離所述襯底一側表面具有疏水表面。
9.一種顯示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在襯底一側形成第一電極;
在所述第一電極背離所述襯底一側形成像素定義層;其中,所述像素定義層包括多個像素開口,且所述第一電極具有從所述像素開口中露出的第一區域;定義位于所述第一區域的所述第一電極背離所述襯底一側表面為第一表面,位于所述第一區域的所述第一電極面向所述襯底一側表面為第二表面,所述第一表面的平坦度低于所述第二表面的平坦度。
10.根據權利要求9所述的制作方法,其特征在于,
在層疊方向上,所述第一電極包括層疊設置的至少兩層子電極層,所述在襯底一側形成第一電極的步驟包括:
在襯底一側依次形成多個子電極層;且針對其中至少一個子電極層,在形成所述子電極層時,對所述子電極層背離所述襯底一側進行刻蝕,以使得所述子電極層背離所述襯底一側的平坦度小于面向所述襯底一側的平坦度;
優選地,所述在襯底一側形成第一電極的步驟之前,包括:
在所述襯底一側形成金屬走線,其中所述金屬走線包括第一走線部,所述第一走線部在所述第一電極上的正投影位于所述第一區域內
至少在所述第一走線部背離所述襯底一側形成第一疏水絕緣層;
在所述金屬走線的周圍形成第三子層,所述第三子層的厚度與所述金屬走線的高度相同;
在所述第三子層背離所述襯底一側以及所述金屬走線背離所述襯底一側形成第四子層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥維信諾科技有限公司;昆山國顯光電有限公司,未經合肥維信諾科技有限公司;昆山國顯光電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210908618.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





