[發明專利]基于動態的HDRB及HDGB測試方法和裝置

在審

• 申請號: 202210905466.0
• 申請日: 2022-07-29
• 公開（公告）號: CN115291070A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 柴俊標;賀庭玉;葉向宏
• 申請（專利權）人: 杭州中安電子有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 杭州浙言專利代理事務所(普通合伙) 33370
• 代理人: 胡勇康

1.基于動態的HDRB及HDGB測試裝置，用于MOSFET器件動態反偏及動態柵偏實驗中，包括VGS高速脈沖電源、VDS高速脈沖電源和熱平臺功能模塊；其特征在于，還包括閾值測試模塊；熱平臺功能模塊用于對測試模塊DUT進行加熱；VGS高速脈沖電源用于提供測試模塊DUT，動態柵偏試驗時的偏置電壓及動態反偏時反向截止電壓；VDS高速脈沖電源用于提供測試模塊DUT的動態反偏試驗的DS偏置電壓；閾值測試模塊用于提供測試模塊DUT的閾值測試電壓。

2.根據權利要求1所述的基于動態的HDRB及HDGB測試裝置，其特征在于，還包括第一切換模塊和第二切換模塊；第一切換模塊和第二切換模塊均為功能切換繼電器。

3.根據權利要求1所述的基于動態的HDRB及HDGB測試裝置，其特征在于，熱平臺功能模塊通過PID控制確定測試模塊DUT的結溫。

4.基于動態的HDRB及HDGB測試方法，用于MOSFET器件動態反偏及動態柵偏實驗中，其特征在于，包括權利要求1-3任一所述的動態HTRB試驗測試裝置；通過所述的測試裝置實現的測試方法包括多種實驗測試模式，實驗測試模式包括HDRB測試模式、HDGB測試模式和閾值測試模式。

5.根據權利要求4所述的基于動態的HDRB及HDGB測試方法，其特征在于，實現HDRB測試模式的方法包括：

第一切換模塊和第二切換模塊切換到NC觸點，VGS高速脈沖電源輸出負壓直流加載至測試模塊DUT的G端和S端；使得測試模塊DUT處于截止狀態，VDS高速脈沖電源輸出脈沖高壓，加載至測試模塊DUT的D端和S端；

VGS高速脈沖電源和VDS高速脈沖電源的頻率電壓的設定；

測試模塊DUT結溫的設定，通過控制熱平臺功能模塊設定測試模塊DUT的結溫。

6.根據權利要求4所述的基于動態的HDRB及HDGB測試方法，其特征在于，實現HDGB測試模式的方法包括：

第一切換模塊和第二切換模塊切換到NC觸點；

VDS高速脈沖電源輸連接到GND，從而測試模塊DUT的D端和S端短接；

VGS高速脈沖電源輸出的電壓加載至MOSFET的G端和S端

VGS高速脈沖電源的頻率電壓的設定；

測試模塊DUT結溫的設定，通過控制熱平臺功能模塊設定測試模塊DUT的結溫。

7.根據權利要求4所述的基于動態的HDRB及HDGB測試方法，其特征在于，實現閾值測試模式的方法包括：

第一切換模塊和第二切換模塊切換到NO觸點；

測試模塊DUT的柵極連接至測試端；

測試模塊DUT的G端和D端短路；

控制閾值測試模塊的電壓，從而對測試模塊DUT的閾值電壓進行測試。

8.根據權利要求7所述的基于動態的HDRB及HDGB測試方法，其特征在于，測試模塊DUT的閾值電壓進行測試方法包括：

控制恒流源電路輸出設定的VGS_MAX的電壓值，施加t_con時間；

控制恒流源電流進入恒流狀態使得輸出恒流值為IDS，轉換過程所用時間為t_VT；

恒流源穩定后，所需時間為T_float，測試VGS電壓，即為VGth；

其中：t_con100ms；t_VT10ms；T_float10ms。