[發明專利]硅基梁式引線肖特基勢壘二極管玻璃框架成型方法

在審

• 申請號: 202210904251.7
• 申請日: 2022-07-29
• 公開（公告）號: CN115172175A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 湯寅;熊威;趙楊楊;王霄;楊勇
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L29/872;H01L23/495
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 余俊杰

1.硅基梁式引線肖特基勢壘二極管玻璃框架成型方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S1、備片：選用市售硅片備用，并采用王水預處理15分鐘；

S2、生長復合介質層：采用LPCVD工藝或PECVD工藝在硅片表面生長復合介質層，復合介質層為SiO₂/Si₃N₄/SiO₂的三層膜結構，其中間層為Si₃N₄，其余層為SiO₂，SiO₂/Si₃N₄/SiO₂三層膜厚度依次為和

S3、第一次呂字型槽光刻：光刻出呂字型介質刻蝕的圖形，版圖橫截面尺寸為L2；

S4、介質刻蝕：去除S3光刻后裸露的復合介質層；

S5、第二次呂字型槽光刻：光刻出ICP刻蝕的圖形，版圖橫截面尺寸為L1；

S6、ICP刻蝕：采用垂直刻蝕工藝在S5光刻后的槽內刻蝕出垂直臺面結構，刻蝕深度為h；

S7、各向異性腐蝕：對S6刻蝕后的硅片進行各向異性腐蝕，達到目標深度H，形成正梯形臺面結構；

S8、玻璃鈍化：對硅片進行玻璃鈍化，填充正梯形臺面；

S9、光刻玻璃：對呂字型槽內硅島區域進行光刻；

S10、腐蝕玻璃：對裸露出的硅島臺面進行腐蝕，去除其表面的玻璃，完成玻璃框架成型；其中，L1、L2、h、H滿足以下關系，θ為正梯形臺面的腰與垂直方向的夾角：

L2＝L1+2h×tanθ。

2.根據權利要求1所述的硅基梁式引線肖特基勢壘二極管玻璃框架成型方法，其特征在于，S1中的硅片晶向為100。

3.根據權利要求1所述的硅基梁式引線肖特基勢壘二極管玻璃框架成型方法，其特征在于，S2中的SiO₂/Si₃N₄/SiO₂三層膜厚度依次為和

4.根據權利要求1所述的硅基梁式引線肖特基勢壘二極管玻璃框架成型方法，其特征在于，θ為35.26°。

5.根據權利要求1所述的硅基梁式引線肖特基勢壘二極管玻璃框架成型方法，其特征在于，S7中采用體積濃度為10％～15％的TMAH溶液對硅片進行各向異性腐蝕，腐蝕溫度為60-80℃。

6.根據權利要求1所述的硅基梁式引線肖特基勢壘二極管玻璃框架成型方法，其特征在于，S8中采用玻璃刮涂法刮涂3-6次。