[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和包括該半導(dǎo)體裝置的ESD保護(hù)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210903797.0
• 申請(qǐng)日: 2022-07-28
• 公開（公告）號(hào): CN115692408A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 漢斯-馬丁·里特;斯特凡·賽德爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安世有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 張娜;李榮勝

1.一種半導(dǎo)體裝置(1)，所述半導(dǎo)體裝置(1)具有第一裝置端子(2a)和第二裝置端子(2b)，所述半導(dǎo)體裝置(1)包括半導(dǎo)體本體(6)，在所述半導(dǎo)體本體(6)上集成有第一電子部件(3)，

其中，所述第一電子部件(3)包括：

第一電荷類型的第一主區(qū)域(3a)，所述第一主區(qū)域(3a)電連接到所述第一裝置端子(2a)；

第二電荷類型的第二主區(qū)域(3b)，所述第二主區(qū)域(3b)被布置為與所述第一主區(qū)域(3a)相鄰；以及

所述第一電荷類型的第三主區(qū)域(3c)，所述第三主區(qū)域(3c)被布置為與所述第二主區(qū)域(3b)相鄰，并且電連接到所述第二裝置端子(2b)，

其特征在于：

所述半導(dǎo)體裝置(1)還包括：

第二電子部件(4)，所述第二電子部件(4)集成在所述半導(dǎo)體本體(6)上并且與所述第一電子部件(3)間隔開，所述第二電子部件(4)包括所述第一電荷類型的第一次級(jí)區(qū)域(4a)、以及與所述第一次級(jí)區(qū)域(4a)相鄰布置的所述第二電荷類型的第二次級(jí)區(qū)域(4b)，其中所述第二次級(jí)區(qū)域(4b)電連接到所述第二裝置端子(2b)；以及

第一電容性元件(5a)，所述第一電容性元件(5a)的第一端子電連接到所述第二主區(qū)域(3b)，并且所述第一電容性元件(5a)的第二端子電連接到所述第一次級(jí)區(qū)域(4a)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置(1)，其中所述第一電子部件(3)形成雙極結(jié)型晶體管BJT，并且/或者其中所述第二電子部件(4)形成二極管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置(1)，還包括第三電子部件(7)，所述第三電子部件(7)集成在所述半導(dǎo)體本體(6)上并且與所述第一電子部件(3)和所述第二電子部件(4)間隔開，

其中，所述第三電子部件(7)包括所述第一電荷類型的第一三級(jí)區(qū)域(7a)、以及與所述第一三級(jí)區(qū)域(7a)相鄰布置的所述第二電荷類型的第二三級(jí)區(qū)域(7b)，

其中，所述第一三級(jí)區(qū)域(7a)電連接到所述第一電容性元件(5a)的第二端子，或者其中所述半導(dǎo)體裝置(1)還包括另一第一電容性元件，所述另一第一電容性元件的第一端子電連接到所述第二主區(qū)域(3b)，并且所述另一第一電容性元件的第二端子電連接到所述第一三級(jí)區(qū)域(7a)，

其中，所述第二三級(jí)區(qū)域(7b)電連接到所述第一裝置端子(2a)，

其中，所述第三電子部件(7)優(yōu)選地形成二極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置(1)，其中，所述第二電子部件(4)還包括與所述第一次級(jí)區(qū)域(4a)相鄰布置的所述第二電荷類型的第三次級(jí)區(qū)域(4c)，其中所述第三次級(jí)區(qū)域(4c)電連接到所述第一裝置端子(2a)，

其中，所述第二電子部件(4)優(yōu)選地形成BJT。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置(1)，其中，所述第二主區(qū)域(3b)包括：

第一主子區(qū)域(8a)，所述第一主子區(qū)域(8a)被布置為與所述第一主區(qū)域(3a)相鄰；以及

第二主子區(qū)域(8b)，所述第二主子區(qū)域(8b)被布置在所述第一主子區(qū)域(8a)和所述第三主區(qū)域(3c)之間，其中所述第一主子區(qū)域(8a)的摻雜劑濃度小于所述第二主子區(qū)域(8b)和所述第一主區(qū)域(3a)的摻雜劑濃度，

其中，所述第一次級(jí)區(qū)域(4a)包括：

第一次級(jí)子區(qū)域(9a)，所述第一次級(jí)子區(qū)域(9a)被布置為與所述第三次級(jí)區(qū)域(4c)相鄰；以及

第二次級(jí)子區(qū)域(9b)，所述第二次級(jí)子區(qū)域(9b)被布置在所述第一次級(jí)子區(qū)域(9a)和所述第二次級(jí)區(qū)域(4b)之間，其中所述第一次級(jí)子區(qū)域(9a)的摻雜劑濃度小于所述第二次級(jí)子區(qū)域(9b)和所述第三次級(jí)區(qū)域(4c)的摻雜劑濃度，

其中，所述第一電容性元件(5a)電連接在所述第一主子區(qū)域(8a)和所述第二主子區(qū)域(8b)中的至少一個(gè)與所述第一次級(jí)子區(qū)域(9a)和所述第二次級(jí)子區(qū)域(9b)中的至少一個(gè)之間。