[發明專利]基于固態硬盤主控芯片的閃存測試方法、裝置及固態硬盤

有效

• 申請號: 202210902079.1
• 申請日: 2022-07-29
• 公開（公告）號: CN114974387B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 謝元祿;霍長興;習凱;季蘭龍;張坤;呼紅陽;盧年端
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G11C29/10
• 分類號: G11C29/10;G06F11/263;G11C29/18
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種基于固態硬盤主控芯片的閃存測試方法，其特征在于，所述固態硬盤主控芯片包括快閃存儲器陣列，所述方法包括：

從所述快閃存儲器陣列的目標塊中讀取數據；

將讀取的數據與預存到所述目標塊的數據進行比較，得到錯誤信息，所述錯誤信息包括錯誤數據以及錯誤地址；

根據所述錯誤信息確定所述目標塊的比特錯誤率；

根據所述比特錯誤率，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊；

所述根據所述比特錯誤率，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊，包括：

監測所述快閃存儲器陣列中目標塊的工作電流；

基于所述比特錯誤率以及所述工作電流，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊。

2.如權利要求1所述的閃存測試方法，其特征在于，所述基于所述比特錯誤率以及所述工作電流，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊，包括：

基于所述比特錯誤率、預設比特錯誤率加權因子、所述工作電流以及預設電流加權因子，確定所述目標塊的退化分值，其中，所述退化分值表示所述目標塊的退化程度得分；

基于所述退化分值，確定所述目標塊是否為壞塊。

3.如權利要求1所述的閃存測試方法，其特征在于，所述根據所述比特錯誤率，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊，包括：

獲取所述快閃存儲器陣列中目標塊進行寫、擦時的用時時長；

基于所述比特錯誤率以及所述用時時長，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊。

4.如權利要求1所述的閃存測試方法，其特征在于，所述根據所述比特錯誤率，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊，包括：

獲取寫入到所述目標塊的數據中零值的數量；

基于所述比特錯誤率以及所述零值的數量，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊。

5.如權利要求1所述的閃存測試方法，其特征在于，所述根據所述比特錯誤率，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊，包括：

監測所述快閃存儲器陣列中目標塊的工作電流；

獲取所述快閃存儲器陣列中目標塊進行寫、擦時的用時時長；

獲取寫入到所述目標塊的數據中零值的數量；

基于所述比特錯誤率、所述工作電流、所述用時時長以及所述零值的數量，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊。

6.如權利要求5所述的閃存測試方法，其特征在于，所述基于所述比特錯誤率、所述工作電流、所述用時時長以及所述零值的數量，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊，包括：

基于所述比特錯誤率、預設比特錯誤了加權因子、所述工作電流、預設電流加權因子、所述用時時長、預設時間因素加權因子、所述零值的數量以及預設零值因素加權因子，確定所述目標塊的退化分值，其中，所述退化分值表示所述目標塊的退化程度得分；

判斷所述退化分值是否大于預設退化閾值；

若是，則確定所述目標塊為壞塊。

7.一種基于固態硬盤主控芯片的閃存測試裝置，其特征在于，包括：

讀取模塊，用于從快閃存儲器陣列的目標塊中讀取數據；

比較模塊，用于將讀取的數據與預存到所述目標塊的數據進行比較，得到錯誤信息，所述錯誤信息包括錯誤數據以及錯誤地址；

第一確定模塊，用于根據所述錯誤信息確定所述目標塊的比特錯誤率；

第二確定模塊，用于根據所述比特錯誤率，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊；

所述根據所述比特錯誤率，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊，包括：

監測所述快閃存儲器陣列中目標塊的工作電流；基于所述比特錯誤率以及所述工作電流，確定出所述快閃存儲器陣列中的壞塊。

8.一種固態硬盤，其特征在于，包括：存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述程序時實現權利要求1-6中任一項所述閃存測試方法的步驟。