[發明專利]一種相變異質結薄膜、相變存儲器及其制備方法在審
| 申請號： | 202210900323.0 | 申請日： | 2022-07-28 |
| 公開（公告）號： | CN115172587A | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 丁科元;車勇勇;饒峰;陳彬;劉建彬 | 申請（專利權）人： | 深圳大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 劉芙蓉 |
| 地址： | 518060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相變 異質結 薄膜 存儲器 及其 制備 方法 | ||
1.一種相變異質結薄膜，其特征在于，所述相變異質結薄膜包括交替層疊的結構相變層和結構穩定層；其中，所述結構相變層為立方相的MxSb2Te3層，所述結構穩定層為六方相的TiyTe1-y層，M為鈧元素、釔元素中的一種。
2.根據權利要求1所述的相變異質結薄膜，其特征在于，0.1≤x≤1.6，0.3≤y≤0.5。
3.根據權利要求1所述的相變異質結薄膜，其特征在于，所述結構相變層的厚度為4～10nm；所述結構穩定層的厚度為3～9nm。
4.根據權利要求1所述的相變異質結薄膜，其特征在于，所述相變異質結薄膜包括N+1層所述結構相變層和N層所述結構穩定層，所述相變異質結薄膜的底層和頂層均為結構相變層；其中，N≥2。
5.根據權利要求1所述的相變異質結薄膜，其特征在于，所述相變異質結薄膜的總厚度小于等于90nm。
6.一種相變存儲器，包括底電極、頂電極和相變材料層，所述相變材料層位于所述底電極和所述頂電極之間，其特征在于，所述相變材料層為權利要求1～5任一項所述的相變異質結薄膜。
7.根據權利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，所述相變存儲器為限制型結構或者T型結構。
8.根據權利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，所述頂電極的材料為Al、W、TiN中的一種；所述底電極的材料為Al、W、TiN中的一種；
所述底電極的厚度為100～200nm；
所述頂電極的厚度為100～200nm。
9.一種權利要求6所述的相變存儲器的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供具有底電極的生長襯底，所述底電極部分覆蓋于所述生長襯底的表面；
在所述生長襯底表面沉積介質包覆層；
刻蝕所述介質包覆層直至在所述介質包覆層中形成暴露所述底電極的沉積空腔；
在所述沉積空腔中依次沉積相變材料層和頂電極，其中，所述相變材料層為權利要求1～5任一項所述的相變異質結薄膜。
10.根據權利要求9所述的相變存儲器的制備方法，其特征在于，所述介質包覆層的材料為SiO2或Si3N4。
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