[發(fā)明專利]導電孔陣列電容、制備方法、芯片、制備方法和電子設備

有效

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• 申請日: 2022-07-28
• 公開（公告）號: CN115064524B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發(fā)明（設計）人: 解文軍
• 申請（專利權）人: 北京象帝先計算技術有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H05K1/16;H05K3/00
• 代理公司: 北京新知遠方知識產權代理事務所(普通合伙) 11397
• 代理人: 王俊博;徐雪嶠

1.一種導電孔陣列電容，其中，包括第一電源層、第一地平面層和第一介質層，所述第一介質層夾設在所述第一電源層和所述第一地平面層之間；

所述第一介質層中設置有導電孔陣列，所述導電孔陣列與所述第一電源層和所述第一地平面層耦合；

所述第一電源層用于與芯片的電源網絡耦合，所述第一地平面層用于與所述芯片的地平面網絡耦合；

所述第一電源層、第一地平面層和第一介質層基于所述芯片的基板的材質和工藝生成；

所述導電孔陣列電容設置在所述芯片的基板內；

或所述導電孔陣列電容設置在所述芯片的晶片的第一表面，且通過凸點或銅柱與所述晶片電連接，所述晶片與所述芯片的基板耦合，所述第一表面為遠離所述基板的面。

2.根據(jù)權利要求1所述的導電孔陣列電容，其中，在所述導電孔陣列電容設置在所述芯片的基板內的情況下，所述第一電源層與第二電源層連接，所述第一地平面層與第二地平面層連接；所述電源網絡包括所述第二電源層，所述地平面網絡包括所述第二地平面層，所述第二電源層和所述第二地平面層均設置在所述基板內。

3.根據(jù)權利要求1所述的導電孔陣列電容，其中，在所述導電孔陣列電容設置在所述芯片的晶片的第一表面的情況下，所述第一電源層與第三電源層連接，所述第一地平面層與第三地平面層連接；所述電源網絡包括所述第三電源層，所述地平面網絡包括所述第三地平面層，所述第三電源層和所述第三地平面層均設置在所述晶片內。

4.根據(jù)權利要求1所述的導電孔陣列電容，其中，所述導電孔陣列包括第一導電孔單元和第二導電孔單元，所述第一導電孔單元和所述第二導電孔單元沿第一方向交錯排布。

5.根據(jù)權利要求4所述的導電孔陣列電容，其中，所述第一導電孔單元和所述第二導電孔單元均包括沿第二方向交錯排布的電源導電孔和地平面導電孔；

所述第一導電孔單元中的電源導電孔排布在奇數(shù)位，所述第一導電孔單元中的地平面導電孔排布在偶數(shù)位；

所述第二導電孔單元中的電源導電孔排布在偶數(shù)位，所述第二導電孔單元中的地平面導電孔排布在奇數(shù)位。

6.根據(jù)權利要求4所述的導電孔陣列電容，其中，所述第一導電孔單元包括多個電源導電孔，且所述多個電源導電孔沿第二方向排布；

所述第二導電孔單元包括多個地平面導電孔，且所述多個地平面導電孔沿所述第二方向排布。

7.根據(jù)權利要求5或6所述的導電孔陣列電容，其中，所述電源導電孔與所述第一電源層耦合，且所述電源導電孔向所述第一介質層厚度方向延伸。

8.根據(jù)權利要求5或6所述的導電孔陣列電容，其中，所述地平面導電孔與所述第一地平面層耦合，且所述地平面導電孔向所述第一介質層厚度方向延伸。

9.根據(jù)權利要求5或6所述的導電孔陣列電容，其中，所述電源導電孔和所述地平面導電孔的數(shù)量與所述導電孔陣列電容的容值呈正比。

10.一種導電孔陣列電容制備方法，其中，所述導電孔陣列電容包括第一電源層、第一地平面層和第一介質層，所述第一電源層、第一地平面層和第一介質層基于芯片的基板的材質和工藝生成，所述方法包括：

層疊設置與所述芯片的電源網絡耦合的第一電源層、設置有導電孔陣列的第一介質層和與所述芯片的地平面網絡耦合的第一地平面層；

將所述導電孔陣列與所述第一電源層和所述第一地平面層耦合；

將所述導電孔陣列電容設置在所述芯片的基板內，或導電孔陣列電容設置在所述芯片的晶片的第一表面，且通過凸點或銅柱與所述晶片電連接，所述第一表面為遠離所述芯片的基板的面，所述晶片與所述基板耦合。

11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述導電孔陣列包括第一導電孔單元和第二導電孔單元，所述方法還包括：

將所述第一導電孔單元和所述第二導電孔單元沿第一方向交錯排布。