[發(fā)明專利]復合極片、其制備方法和二次電池

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• 申請日: 2022-07-27
• 公開（公告）號: CN115188969A
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設計）人: 馮玉川;許蕾;韓波;何泓材;李崢
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州清陶新能源科技有限公司
• 主分類號: H01M4/66
• 分類號: H01M4/66;H01M4/70;H01M10/0525;H01M50/536
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 趙穎

1.一種復合極片，包括復合集流體，形成于所述復合集流體之上的電極材料涂層及極耳；

其中，所述復合集流體包括聚合物層，與所述聚合物層以部分重疊的方式堆疊在一起的金屬轉(zhuǎn)接片，形成于所述聚合物層和所述金屬轉(zhuǎn)接片上的金屬層；

所述極耳與所述金屬轉(zhuǎn)接片連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復合極片，其特征在于，所述聚合物層與所述金屬轉(zhuǎn)接片通過焊接連接后，再在所述聚合物層和所述金屬轉(zhuǎn)接片上形成金屬層；

所述金屬層形成于焊接后形成的焊縫的空洞中；

優(yōu)選地，所述金屬層延伸至金屬轉(zhuǎn)接片，優(yōu)選延伸至金屬轉(zhuǎn)接片與聚合物層的重疊區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的復合極片，其特征在于，所述金屬轉(zhuǎn)接片的厚度為10μm-15μm；

優(yōu)選地，所述聚合物層的厚度為1μm-8μm，優(yōu)選為2μm-4μm；

優(yōu)選地，所述聚合物層與所述金屬轉(zhuǎn)接片的重疊區(qū)域的寬度為3mm-6mm；

優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為100nm-35μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的復合極片，其特征在于，所述金屬層為表面涂覆有碳涂層的金屬層；

優(yōu)選地，所述電極材料涂層距離所述金屬轉(zhuǎn)接片的距離為5mm-40mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的復合極片，其特征在于，所述電極材料涂層位于所述復合集流體的至少一側(cè)；

優(yōu)選地，所述電極材料涂層位于所述復合集流體的一側(cè)，并與所述極耳位于復合集流體的同側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的復合極片，其特征在于，所述聚合物層的兩側(cè)表面均設置有金屬轉(zhuǎn)接片和金屬層，分別為第一金屬轉(zhuǎn)接片和第二金屬轉(zhuǎn)接片；

優(yōu)選地，所述第一金屬轉(zhuǎn)接片和第二金屬轉(zhuǎn)接片上均設置有金屬層，金屬層分別為第一金屬層和第二金屬層。

7.一種如權(quán)利要求1-6任一項所述的復合極片的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

S100：在聚合物層的兩側(cè)表面拼接金屬轉(zhuǎn)接片；

S200：對拼接區(qū)域進行焊接；

S300：在所述聚合物層和焊接區(qū)域表面形成金屬層；

S400：在所述金屬層上遠離拼接區(qū)域的一側(cè)形成電極材料涂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，步驟S300中，所述金屬層通過對拼接后的聚合物層和金屬轉(zhuǎn)接片進行蒸鍍、沉積或濺射形成；

或者，所述金屬層通過將連續(xù)的金屬膜附著至焊接區(qū)域形成第一金屬層部分，在聚合物層上進行蒸鍍、沉積或濺射形成第二金屬層部分，所述第一金屬層部分和所述第二金屬層部分實現(xiàn)電連接；

優(yōu)選地，在步驟S400后進行步驟S500：烘干后在金屬轉(zhuǎn)接片上進行極耳焊接。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，當所述電極材料涂層位于所述復合集流體的兩側(cè)表面時，通過在焊接的區(qū)域內(nèi)形成金屬層，實現(xiàn)兩面電流的導通。

10.一種二次電池，其特征在于，所述二次電池中包括權(quán)利要求9所述的復合極片。