[發明專利]包括存儲控制器的存儲裝置和用于操作存儲控制器的方法

在審

• 申請號: 202210888609.1
• 申請日: 2022-07-27
• 公開（公告）號: CN115718563A
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 李靜雨;柳尚辰;姜熙雄;李侊祐;李熙元
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10;G11C16/26
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 史泉;張川緒

提供了包括存儲控制器的存儲裝置和用于操作存儲控制器的方法。所述用于操作存儲控制器的方法包括：接收第一讀取命令；使用第一讀取電平執行對存儲在非易失性存儲器中的數據的第一讀取，并接收第一讀取數據；執行對第一讀取數據的第一糾錯解碼以確定第一糾錯解碼是否成功；使用預定方法確定第二讀取電平，并確定第二讀取電平的第一軟決策偏移值；使用確定的第二讀取電平和第一軟決策偏移值讀取存儲在非易失性存儲器中的數據，并接收第一軟決策數據；執行對第一軟決策數據的第二糾錯解碼以確定第二糾錯解碼是否成功；并存儲第二讀取電平、用于確定第二讀取電平的第一方法和第一軟決策偏移值。

本申請要求于2021年8月25日在韓國知識產權局提交的第10-2021-0112370號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明涉及存儲裝置和用于操作存儲控制器的方法。

背景技術

在包括NAND(與非)閃存的非易失性存儲器中，當數據被編程到存儲器單元時，單元分布被形成。當讀取操作使用適合于單元分布的形式的讀取電平被執行時，可靠的讀取數據可被獲得。

然而，當非易失性存儲器的操作連續進行時，這樣的單元分布可劣化。在這種情況下，當讀取操作以預先定義的現有讀取電平被執行時，包括多個錯誤的數據更有可能將被獲得。因此，期望確定與當前單元分布對應的新讀取電平。

當在讀取數據中存在錯誤時，防御操作(defense operation)或恢復操作(recovery operation)可被執行以獲得最優讀取電平，并且數據可通過讀取重試操作而被獲取。然而，當單元分布的劣化變得嚴重時，難以僅通過尋找最優讀取電平來獲得可靠的讀取數據。因此，可通過利用糾錯碼(ECC)引擎的軟解碼來執行糾錯解碼。此時，軟決策數據需要被生成，然后被輸入到用于軟解碼的ECC引擎。

為了生成這樣的軟決策數據，需要軟決策偏移值。然而，因為多個讀取操作在確定軟判決偏移值的處理中可能被再次需要，所以存儲裝置的操作速度可降低。

發明內容

本發明的方面提供用于操作能夠提高存儲裝置的操作速度的存儲控制器。

本發明的方面還提供具有提高的操作速度的存儲裝置。

根據本公開的一些方面，提供一種用于操作存儲控制器的方法，所述方法包括：從主機裝置接收第一讀取命令；當第一讀取命令被接收時，使用第一讀取電平執行對存儲在非易失性存儲器中的數據的第一讀取，并且基于第一讀取的結果從非易失性存儲器接收第一讀取數據；執行對第一讀取數據的第一糾錯解碼以確定第一糾錯解碼是否成功；當第一糾錯解碼失敗時，使用預定方法中的至少一個確定與第一讀取電平不同的第二讀取電平，并且確定第二讀取電平的第一軟決策偏移值；使用確定的第二讀取電平和第一軟決策偏移值執行對存儲在非易失性存儲器中的數據的第二讀取，并且基于第二讀取的結果從非易失性存儲器接收第一軟決策數據；執行對第一軟決策數據的第二糾錯解碼以確定第二糾錯解碼是否成功；以及當第二糾錯解碼成功時，將第二讀取電平、用于確定第二讀取電平的預定方法中的第一方法和第一軟決策偏移值存儲為歷史日志。