[發(fā)明專利]一種可消除高溫合金中溫脆性的強(qiáng)韌化熱處理工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210880047.6 | 申請(qǐng)日: | 2022-07-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115011768B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 嚴(yán)靖博;谷月峰;袁勇;楊征 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華能國(guó)際電力股份有限公司;西安熱工研究院有限公司 |
| 主分類號(hào): | C21D1/34 | 分類號(hào): | C21D1/34 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 安彥彥 |
| 地址: | 100031 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 消除 高溫 合金 脆性 強(qiáng)韌 熱處理 工藝 | ||
本發(fā)明公開(kāi)一種可消除高溫合金中溫脆性的強(qiáng)韌化熱處理工藝,包括以下步驟:將高溫合金在晶內(nèi)析出相γ’完全溶解溫度以上0℃?350℃保溫0.5h?10h后,經(jīng)高溫冷卻階段和低溫冷卻階段再冷卻至室溫;高溫冷卻階段:自γ’析出起始溫度起冷卻至晶內(nèi)析出相析出起始溫度以下1℃?200℃之前,平均冷卻速率為0.1℃/min?20℃/min;低溫冷卻階段:自高溫冷卻階段結(jié)束起冷卻至γ’析出終止溫度之前,平均冷卻速率不低于2℃/min。經(jīng)過(guò)本發(fā)明所述強(qiáng)韌化處理后,合金強(qiáng)度與峰值時(shí)效態(tài)合金強(qiáng)度達(dá)到同一水平,且在其中溫脆性區(qū)無(wú)明顯的塑性下降現(xiàn)象,與傳統(tǒng)的熱處理工藝相比,其在中溫脆性區(qū)延伸率提高50%以上。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬金屬熱處理技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種可消除高溫合金中溫脆性的強(qiáng)韌化熱處理工藝。
背景技術(shù)
高溫合金因其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度性能而在能源、化工、航空航天等多個(gè)領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用,然而其在中溫區(qū)的塑性顯著降低現(xiàn)象成為制約其工程化推廣的重要因素。大量研究表明,高溫合金在500℃-900℃范圍內(nèi)將出現(xiàn)脆性急劇上升現(xiàn)象,一起作為高溫承壓部件使用時(shí)可能會(huì)造成部件的早期失效,進(jìn)而對(duì)設(shè)備的服役構(gòu)成巨大安全隱患。
以往研究證實(shí),高溫合金的中溫脆性一般產(chǎn)生于其服役的最初階段。目前有關(guān)中溫脆性的形成機(jī)制仍存在爭(zhēng)議,但一般認(rèn)為其與晶界或相界的微觀結(jié)構(gòu)相關(guān)。合理調(diào)控界面強(qiáng)度,抑制裂紋萌生與擴(kuò)展一直是高溫合金開(kāi)發(fā)與推廣的關(guān)鍵研究技術(shù)領(lǐng)域之一。
發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題,本發(fā)明的目的是提供一種可消除高溫合金中溫脆性的強(qiáng)韌化熱處理工藝。
為了實(shí)現(xiàn)以上發(fā)明目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
一種可消除高溫合金中溫脆性的強(qiáng)韌化熱處理工藝,將高溫合金在晶內(nèi)析出相γ’完全溶解溫度以上0℃-350℃保溫0.5h-10h后,經(jīng)高溫冷卻階段和低溫冷卻階段再冷卻至室溫;其中,
高溫冷卻階段:自晶內(nèi)析出相γ’析出起始溫度起冷卻至晶內(nèi)析出相γ’析出起始溫度以下1℃-200℃之前,平均冷卻速率為0.1℃/min-20℃/min;
低溫冷卻階段:自高溫冷卻階段結(jié)束起冷卻至γ’析出終止溫度之前,平均冷卻速率不低于2℃/min。
進(jìn)一步的,高溫合金中晶內(nèi)析出相γ’具有L12結(jié)構(gòu),符合A3B型原子配比,其中,A元素為Ni、Fe、Co或Mn,B元素為Al、Ti、Nb、Ta、W、Mo、Zr或Hf。
進(jìn)一步的,保溫時(shí),若溫度低于的晶界析出相形核溫度,則保溫時(shí)間不超過(guò)5h。
進(jìn)一步的,高溫冷卻階段的冷卻速率非恒定時(shí),在任一時(shí)刻的瞬時(shí)冷卻速率不低于0.01℃/min。
進(jìn)一步的,高溫冷卻階段結(jié)束后合金晶粒內(nèi)部存在晶內(nèi)析出相γ’,晶內(nèi)析出相平均尺寸不低于20nm,體積分?jǐn)?shù)不低于5%。
進(jìn)一步的,低溫冷卻階段的冷卻速率非恒定時(shí),在任一時(shí)刻的瞬時(shí)冷卻速率不低于0.1℃/min。
進(jìn)一步的,高溫冷卻階段結(jié)束后合金晶內(nèi)晶內(nèi)析出相γ’呈雙峰分布,其中,平均直徑不低于30nm的顆粒為較大尺寸γ’顆粒,平均直徑不高于20nm的顆粒為較小尺寸γ’顆粒,且較大尺寸γ’顆粒與較小尺寸γ’顆粒平均直徑比不低于5倍。
進(jìn)一步的,低溫冷卻階段結(jié)束后進(jìn)行保溫處理,保溫時(shí)間為0h-150h,然后冷卻至室溫。
進(jìn)一步的,低溫冷卻階段結(jié)束后采用水冷、空冷、油冷或爐冷的方式冷卻至室溫。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有的有益效果:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華能國(guó)際電力股份有限公司;西安熱工研究院有限公司,未經(jīng)華能國(guó)際電力股份有限公司;西安熱工研究院有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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