[發明專利]成像裝置

在審

• 申請號: 202210876179.1
• 申請日: 2022-07-25
• 公開（公告）號: CN115714927A
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發明（設計）人: 白石大介
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H04N25/76
• 分類號: H04N25/76;H04N25/77;H04N25/772;H04N25/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 楊雪玲;劉久亮

一種成像裝置包括：圖像感測單元，其被構造為包括圖像感測像素，圖像感測像素可操作為感測從場景接收的入射光并生成攜帶場景的圖像信息的圖像數據；透鏡模塊，其被定位為將來自場景的入射光投射到圖像感測單元的圖像感測像素上；行緩沖器，其被聯接為與圖像感測單元通信，并且被配置為存儲從圖像感測單元接收的圖像數據；光學失真校正器(ODC)，其被配置為基于行緩沖器中存儲的圖像數據的輸入像素坐標執行針對輸出像素坐標的透鏡失真校正，以校正由透鏡模塊引起的失真；以及行緩沖器控制器，其聯接至行緩沖器，并且被配置為根據輸出像素坐標控制圖像數據從行緩沖器讀取到光學失真校正器的讀取速度。

技術領域

本專利文檔中公開的技術和實現總體上涉及能夠通過感測光生成圖像數據的成像裝置。

背景技術

圖像感測裝置是通過使用對光起反應的光敏半導體材料將光轉換為電信號，來捕獲光學圖像的裝置。隨著汽車、醫療、計算機和通信行業的發展，在諸如智能電話、數碼相機、游戲機、IoT(物聯網)、機器人、安防攝像頭和醫療微型相機之類的各種領域中，對高性能圖像感測裝置的需求不斷增加。

圖像感測裝置大致可以分為CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合器件)圖像感測裝置和CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互補金屬氧化物半導體)圖像感測裝置。CCD圖像感測裝置提供更好的圖像質量，但與CMOS圖像感測裝置相比，它們往往消耗更多的電力并且更大。CMOS圖像感測裝置比CCD圖像感測裝置尺寸更小且消耗更少的電力。此外，使用CMOS制造技術來制造CMOS傳感器，因此可以將光敏元件和其它信號處理電路集成到單個芯片中，使得能夠以較低成本生產小型化的圖像感測裝置。出于這些原因，正在為包括移動裝置在內的許多應用開發CMOS圖像感測裝置。

發明內容

本公開技術的各種實施方式涉及能夠校正透鏡失真的成像裝置。

根據所公開技術的一個實施方式，一種成像裝置可以包括：圖像感測單元，其被構造為包括圖像感測像素，圖像感測像素可操作為感測從場景接收的入射光并生成攜帶場景的圖像信息的圖像數據；透鏡模塊，其被定位為將來自場景的入射光投射到圖像感測單元的圖像感測像素上；行緩沖器(line buffer)，其被聯接以與圖像感測單元通信，并且被配置為存儲從圖像感測單元接收的圖像數據；光學失真校正器(ODC)，其被配置為基于行緩沖器中存儲的圖像數據的輸入像素坐標執行針對輸出像素坐標的透鏡失真校正，以校正由透鏡模塊引起的失真；以及行緩沖器控制器，其聯接至行緩沖器，并且被配置為根據輸出像素坐標控制圖像數據從行緩沖器讀取到光學失真校正器的讀取速度。

根據所公開技術的另一實施方式，一種成像裝置可以包括：行緩沖器，其被配置為存儲通過感測入射光所生成的圖像數據；光學失真校正器(ODC)，其被配置為接收來自行緩沖器的圖像數據并執行針對輸出像素坐標的透鏡失真校正；以及行緩沖器控制器，其被配置為基于對應于包括輸出像素坐標的輸出行的參考行，來控制從行緩沖器讀取圖像數據的讀取速度。

應當理解，對所公開技術的前述概括描述和以下詳細描述二者都是示例性和解釋性的，并且旨在提供對所要求保護的本公開的進一步解釋。

附圖說明

參照結合附圖考慮的以下詳細描述，所公開技術的以上和其它特征以及有益方面將容易變得顯而易見。

圖1是例示了基于所公開技術的一些實現的成像系統的示例的框圖。

圖2是例示了圖1所示的圖像感測單元的示例的框圖。

圖3是例示了透鏡失真校正的示例的概念圖。

圖4是例示了在透鏡失真校正期間要參考的行的范圍依據各像素的位置而變化的圖。

圖5是例示了根據透鏡失真的一個示例的輸出像素坐標與對應于輸出像素坐標的像素的透鏡失真校正所需的輸入像素坐標之間的關系的曲線圖。