[發(fā)明專利]顯示面板以及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210875218.6 | 申請日: | 2022-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN115207071A | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 葉超;魏小丹;何寶生;楊堂;王霄熠;劉沛 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亞;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 以及 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其包括襯底基板,以及設(shè)置在所述襯底基板上、呈陣列排布的多個像素單元組,每一所述像素單元組包括設(shè)置在所述襯底基板上的第一像素單元和第二像素單元;所述第一像素單元包括像素驅(qū)動電路和與之電連接的第一發(fā)光器件,第二像素單元包括第二發(fā)光器件;其中,
對于位于同一行的所述像素單元組,各個所述像素驅(qū)動電路和各個所述第二發(fā)光器件的第二電極連接同一柵線;
對于位于同一列的所述像素單元組,各個所述像素驅(qū)動電路連接同一數(shù)據(jù)線,各個所述第二發(fā)光器件的第一電極連接同一所述數(shù)據(jù)線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述呈陣列排布的多個像素單元組包括M行、N列所述像素單元組;其中,M為大于或者等于1的正整數(shù),N為大于或者等于2的正整數(shù);
N列所述像素單元組沿第一方向順次排布,N條所述數(shù)據(jù)線沿第一方向順次排布,且第i列所述像素驅(qū)動電路與第i條所述數(shù)據(jù)線連接;0<i≤N,且所述i為正整數(shù);
第j列所述第二發(fā)光器件的第一電極,連接第(N-j+1)條所述數(shù)據(jù)線;1≤j≤N,所述j為正整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述顯示面板還包括連接信號線;
所述像素驅(qū)動電路所連接的一條所述數(shù)據(jù)線與一條所述連接信號線連接,所述連接信號線經(jīng)過走線區(qū),與所述第二發(fā)光器件的第一電極連接;
各條所述連接信號線在所述襯底基板上的正投影無重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述顯示面板包括設(shè)置在所述襯底基板上的驅(qū)動電路層;所述像素驅(qū)動電路位于所述驅(qū)動電路層;
所述第一發(fā)光器件位于所述驅(qū)動電路層背離所述襯底基板的一側(cè);所述第二發(fā)光器件位于所述驅(qū)動電路層靠近所述襯底基板的一側(cè);
對于一個所述像素單元組,所述第一發(fā)光器件在所述襯底基板上的正投影和/或所述第二發(fā)光器件在所述襯底基板上的正投影,均與所述像素驅(qū)動電路在所述襯底基板上的正投影至少部分重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其中,所述第一發(fā)光器件、所述第二發(fā)光器件和所述像素驅(qū)動電路中的任意兩者,在所述襯底基板上的正投影重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板,其中,所述像素驅(qū)動電路包薄膜晶體管和存儲電容;
所述驅(qū)動電路層包括依次設(shè)置在所述第二發(fā)光器件背離所述襯底基板一側(cè)的第一半導(dǎo)體層、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層;
所述薄膜晶體管的有源層位于所述第一半導(dǎo)體層;
所述薄膜晶體管的柵極、所述存儲電容的第一極板和所述柵線均位于所述第一導(dǎo)電層;
所述薄膜晶體管的源極和漏極均位于所述第二導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示面板,其中,所述顯示面板還包括設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層靠近所述襯底基板一側(cè)的緩沖層、以及設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電層之間的第一絕緣層;
在同一所述像素單元組中所述第二發(fā)光器件的第二電極,通過連接過孔與所述柵線電連接;所述連接過孔依次貫穿所述第二像素定義層、所述緩沖層和所述第一絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板,其中,所述顯示面板還包括依次設(shè)置在所述驅(qū)動電路層背離所述襯底基板一側(cè)的第三導(dǎo)電層、第一像素定義層和第四導(dǎo)電層;
所述第一發(fā)光器件的第一電極位于所述第三導(dǎo)電層;所述第一發(fā)光器件的第二電極位于所述第四導(dǎo)電層;所述第一發(fā)光器件的第一電極為反射電極,所述第一發(fā)光器件的第二電極為透射電極;
所述第一發(fā)光器件的第一蒸鍍層位于所述第一像素定義層,且所述第一發(fā)光器件的第二電極在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一蒸鍍層在所述襯底基板上的正投影。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
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- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動終端
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