[發(fā)明專利]空芯光纖有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210871805.8 | 申請日: | 2019-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN115047560B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G·T·賈西恩;F·波萊蒂 | 申請(專利權(quán))人: | 南安普敦大學(xué) |
| 主分類號: | G02B6/02 | 分類號: | G02B6/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華 |
| 地址: | 英國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光纖 | ||
1.一種空心光纖,包括:
管狀護(hù)套;
包層,其包含在圍繞所述護(hù)套的內(nèi)表面的環(huán)中彼此間隔開的多個一級腔室,并且在相鄰腔室之間存在間隙;和
空芯,其由所述一級腔室的環(huán)內(nèi)的中心空隙形成;
其中所述包層在每個一級腔室內(nèi)部進(jìn)一步包含兩個二級腔室且不超過兩個,所述兩個二級腔室彼此間隔開并且在所述兩個二級腔室之間有間隙,所述二級腔室的任一個都不與所述一級腔室沿所述空心光纖的半徑徑向?qū)R。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空心光纖,其中,在每個一級腔室內(nèi)部,所述二級腔室在所述護(hù)套內(nèi)部的一級腔室的方位位置的任一側(cè)上間隔開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空心光纖,其中每個二級腔室具有圍繞所述一級腔室的周長的接觸點(diǎn),所述接觸點(diǎn)是從所述護(hù)套內(nèi)部的一級腔室的方位位置移位的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空心光纖,其中每個二級腔室具有圍繞所述一級腔室的周長的接觸點(diǎn),所述接觸點(diǎn)是從所述一級腔室與所述護(hù)套的內(nèi)表面的接觸點(diǎn)移位的。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空心光纖,其中每個二級腔室具有圍繞所述一級腔室的周長的接觸點(diǎn),所述接觸點(diǎn)不與所述一級腔室和所述護(hù)套的內(nèi)表面的接觸點(diǎn)重合。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空心光纖,其中所述二級腔室具有從所述護(hù)套內(nèi)部的一級腔室的方位位置相等且相反的移位。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的空心光纖,其中所述二級腔室因具有從所述護(hù)套內(nèi)部的一級腔室的方位位置相等且相反的移位而偏心。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空心光纖,其包含四個一級腔室。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空心光纖,其包含五個一級腔室。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空芯光纖,其中所述一級腔室間隔開0d外/λ≤4.5的間隙d外,并且所述二級腔室間隔開0d內(nèi)/λ≤6.7的間隙d內(nèi),其中λ是所述空芯光纖經(jīng)構(gòu)造以導(dǎo)引的光的光學(xué)波長。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空芯光纖,其中所述一級腔室間隔開0d外/λ≤3.1的間隙d外,并且所述二級腔室間隔開0d內(nèi)/λ≤3.4的間隙d內(nèi),其中λ是所述空芯光纖經(jīng)構(gòu)造以導(dǎo)引的光的光學(xué)波長。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空芯光纖,并且其在所述空芯光纖經(jīng)構(gòu)造以導(dǎo)引的波長下的導(dǎo)引光的光學(xué)傳播損失水平是1dB/km或更小。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空芯光纖,并且其在所述空芯光纖經(jīng)構(gòu)造以導(dǎo)引的波長下的導(dǎo)引光的光學(xué)傳播損失水平是0.01dB/km或更小。
14.一種用于制造空芯光纖的預(yù)成形物或杖狀物,其經(jīng)構(gòu)造以拉伸成根據(jù)權(quán)利要求1所述的空芯光纖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南安普敦大學(xué),未經(jīng)南安普敦大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210871805.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:光刻工藝方法及極紫外線光刻工藝方法
- 下一篇:一種地氯雷他定片及其制備工藝





