[發明專利]芯片制造方法及設備

在審

• 申請號: 202210871350.X
• 申請日: 2022-07-22
• 公開（公告）號: CN115116880A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 上海壁仞智能科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種芯片制造方法，包括：

在晶圓上制備多個預定芯片集合，其中，每個預定芯片集合包括多個單芯片；

對所述多個預定芯片集合中的每個單芯片進行合格性測試；

基于所述測試的結果對所述晶圓進行切割，其中

響應于所述多個預定芯片集合中的第一預定芯片集合內的每個單芯片都是合格的，將所述第一預定芯片集合作為整體切割，或者

響應于所述多個預定芯片集合中的第二預定芯片集合內的部分單芯片是合格的，將所述第二預定芯片集合中不合格的單芯片和合格的單芯片切割分離。

2.根據權利要求1所述的方法，在所述基于所述測試結果對所述晶圓進行切割之后，還包括：

將切割得到的中間產品進行封裝。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述對切割得到的中間產品進行封裝，包括：

將所述第一預定芯片集合作為整體切割所得到的第一中間產品整體進行封裝；

將所述第二預定芯片集合中不合格的單芯片和合格的單芯片切割分離所得到的包括至少一個所述合格的單芯片的第二中間產品進行封裝。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述包括至少一個所述合格的單芯片的第二中間產品包括至少兩個彼此互連的單芯片，

所述將所述第二預定芯片集合中不合格的單芯片和合格的單芯片切割分離所得到的包括至少一個所述合格的單芯片的第二中間產品進行封裝，包括：

將所述至少兩個彼此互連的單芯片整體進行封裝。

5.根據權利要求1-4任一所述的方法，其中，所述在晶圓上制備所述多個預定芯片集合，包括：

位于所述多個預定芯片集合中的同一預定芯片集合的多個單芯片至少由同一芯片制備光罩形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述在晶圓上制備所述多個預定芯片集合，包括：

在所述晶圓中制備導電結構電連接所述同一預定芯片集合內相鄰的兩個單芯片。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述在晶圓上制備所述多個預定芯片集合，還包括：

在所述同一預定芯片集合內相鄰的兩個單芯片之間形成切割道區域，

其中，在所述晶圓中制備所述導電結構電連接所述同一預定芯片集合內相鄰的兩個單芯片，包括：

所述相鄰的兩個單芯片通過所述導電結構經所述切割道區域電連接。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述在晶圓上制備所述多個預定芯片集合，還包括：

在所述相鄰的兩個單芯片之間的所述切割道區域的兩端分別設置密封環。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述密封環與所述兩個單芯片的與所述切割道區域延伸方向相垂直的芯片邊緣對齊。

10.根據權利要求5所述的方法，在對所述多個預定芯片集合中的每個單芯片進行測試之后，還包括：

根據所述測試的結果，在所述晶圓上形成至少一個重分布層以電連接所述同一預定芯片集合內相鄰的兩個合格的單芯片。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，

對于所述同一預定芯片集合為所述第一預定芯片集合的情形，所述重分布層包括用于電連接所述第一預定芯片集合內全部合格的單芯片的第一導電結構；或者

對于所述同一預定芯片集合為所述第二預定芯片集合的情形，

若所述第二預定芯片集合包括在同一行或同一列的相鄰的兩個合格的單芯片，所述重分布層包括用于電連接所述第二預定芯片集合內的所述在同一行或同一列的相鄰的兩個合格的單芯片的第二導電結構；或者

若所述第二預定芯片集合不包括在同一行或同一列的相鄰的兩個合格的單芯片，所述重分布層不形成在所述第二預定芯片集合上，或所述重分布層形成在所述第二預定芯片集合上但不電連接相鄰的兩個單芯片。