[發明專利]發光裝置

在審

• 申請號: 202210868218.3
• 申請日: 2022-07-22
• 公開（公告）號: CN115715101A
• 公開（公告）日: 2023-02-24
• 發明（設計）人: 安德里亞·贊佩蒂;瓦萊里·貝里曼-博斯奎特
• 申請（專利權）人: 夏普顯示科技株式會社
• 主分類號: H10K50/115
• 分類號: H10K50/115;H10K50/16
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 葉乙梅

1.一種發光裝置，其特征在于，包括：

基板；

第一電極層，設置在所述基板上；

發射層，其具有第一組量子點，所述發射層與所述第一電極層電耦合；

第二電極層，其與該發射層電耦合，所述第二電極層相對于所述發射層被配置成與所述第一電極層相對；

第一電荷傳輸層，其設置在所述發射層和所述第一電極層之間；以及

第二電荷傳輸層，其被配置在所述發射層與所述第二電極層之間，其中所述第一電荷傳輸層和該第二電荷傳輸層中的至少一個包括一第二組量子點。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一組量子點和所述第二組量子點中的所述量子點在結構上相同。

3.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一電荷傳輸層和所述第二電荷傳輸層中至少一個中的量子點濃度在0.1wt％至20wt％的范圍內。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一電荷傳輸層和所述第二電荷傳輸層中的至少一個包含有機半導體。

5.根據權利要求4所述的發光裝置，其特征在于，所述有機半導體被配置為具有空穴傳輸性質。

6.根據權利要求4所述的發光裝置，其特征在于，所述有機半導體被配置為具有電子傳輸特性。

7.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一電荷傳輸層和所述第二電荷傳輸層中的至少一個包含無機半導體。

8.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述無機半導體被配置為具有空穴傳輸特性。

9.根據權利要求8所述的發光裝置，其特征在于，所述無機半導體包含空穴傳輸金屬氧化物納米顆粒，所述空穴傳輸金屬氧化物納米顆粒包含選自V族、VI族、IX族、X族或XI族的金屬。

10.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述無機半導體被配置為具有電子傳輸特性。

11.根據權利要求10所述的發光裝置，其特征在于，所述無機半導體包含電子傳輸金屬氧化物納米顆粒，所述電子傳輸金屬氧化物納米顆粒包含選自I族、IV族、XII族、XIII族或XIV族的金屬。

12.根據權利要求7所述的發光裝置，其特征在于，所述無機半導體包括具有3nm至20nm范圍內的納米顆粒尺寸的金屬氧化物納米顆粒。

13.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一電荷傳輸層和所述第二電荷傳輸層中的至少一個包含金屬氧化物納米顆粒，所述金屬氧化物納米顆粒的尺寸等于或小于所述第二組量子點中的量子點。

14.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一電荷傳輸層和所述第二電荷傳輸層中的至少一個包括多個電荷傳輸子層。

15.根據權利要求14所述的發光裝置，其特征在于，所述多個電荷傳輸子層中的每一個具有不同尺寸的金屬氧化物納米顆粒。

16.根據權利要求14所述的發光裝置，其特征在于，所述多個電荷傳輸子層根據每一電荷傳輸子層的電子傳輸金屬氧化物納米顆粒尺寸按升序沉積。

17.根據權利要求1所述的發光裝置，其特征在于，所述第一電荷傳輸層和所述第二電荷傳輸層中的至少一個包含具有不同納米顆粒尺寸的納米顆粒共混物。

18.根據權利要求17所述的發光裝置，其特征在于，所述納米顆粒共混物中的至少一種包含具有等于或小于所述第二組量子點中的量子點的尺寸的金屬氧化物納米顆粒。