[發(fā)明專利]一種基于晶圓測試系統(tǒng)的管控圖譜偏移的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210867192.0 | 申請日: | 2022-07-22 |
| 公開(公告)號: | CN114999954A | 公開(公告)日: | 2022-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張鑫;馬國海;張國棟;王娜 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇芯德半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司: | 無錫華越知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32571 | 代理人: | 蘇霞 |
| 地址: | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 測試 系統(tǒng) 圖譜 偏移 方法 | ||
1.一種基于晶圓測試系統(tǒng)的管控圖譜偏移的方法,其特征在于,包括:
預(yù)先選定晶圓上的多個標(biāo)記芯片,記錄多個所述標(biāo)記芯片的坐標(biāo),根據(jù)晶圓上的有效芯片和標(biāo)記芯片坐標(biāo)設(shè)置相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)分bin信息,并將所述標(biāo)準(zhǔn)分bin信息導(dǎo)入晶圓測試系統(tǒng);所述標(biāo)記芯片包括對位芯片和/或Skip die;
對待測晶圓進(jìn)行測試,獲取測試圖譜;所述測試圖譜記錄了待測晶圓上標(biāo)記芯片的位置信息;
根據(jù)測試圖譜中標(biāo)記芯片的位置信息,獲取標(biāo)記芯片相應(yīng)的分bin信息;
將分bin信息與標(biāo)準(zhǔn)分bin信息進(jìn)行對比,并根據(jù)對比結(jié)果判斷測試圖譜是否偏移,具體判斷方法為:
如果待測晶圓上標(biāo)記芯片的分bin信息和標(biāo)準(zhǔn)分bin信息一致,則測試圖譜未發(fā)生偏移;
如果待測晶圓上標(biāo)記芯片的分bin信息和標(biāo)準(zhǔn)分bin信息不一致,則標(biāo)記所述待測晶圓為異常晶圓,經(jīng)人工異常處理后,確定測試圖譜是否發(fā)生偏移。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于晶圓測試系統(tǒng)的管控圖譜偏移的方法,其特征在于,所述對位芯片為晶圓制造時預(yù)置的沒有正常功能的芯片;所述Skip die為晶圓上特定位置的不良芯片,或者即使測試通過也因為工藝問題不能正常使用的芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于晶圓測試系統(tǒng)的管控圖譜偏移的方法,其特征在于,所述標(biāo)記芯片優(yōu)先選擇Skip die,所述Skip die周圍4個芯片中至少有2個有效芯片,使得至少2個有效芯片的標(biāo)準(zhǔn)分bin信息與標(biāo)記芯片的標(biāo)準(zhǔn)分bin信息不同;
所述標(biāo)記芯片在沒有合適的Skip die選擇時,則選擇對位芯片,所述對位芯片的周圍均為有效芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于晶圓測試系統(tǒng)的管控圖譜偏移的方法,其特征在于,將所述晶圓分為4個象限,每個象限中至少選取一個標(biāo)記芯片;在對比時,先將待測晶圓上標(biāo)記芯片的分bin信息和該標(biāo)記芯片的標(biāo)準(zhǔn)分bin信息進(jìn)行對比:
如果一致,則測試圖譜未發(fā)生偏移;
如果不一致,查找該標(biāo)記芯片周圍的臨近芯片是否有與標(biāo)準(zhǔn)分bin信息相同的:
如果有,則測試圖譜發(fā)生了偏移;
如果沒有,則不能通過這個標(biāo)記芯片判斷出來,需要選取下一個標(biāo)記芯片的分bin信息,重復(fù)上述對比程序進(jìn)行對比,直至確定測試圖譜發(fā)生了偏移;
如果待測晶圓上所有的標(biāo)記芯片都不能確定測試圖譜是否發(fā)生偏移,則標(biāo)記所述待測晶圓為異常晶圓,經(jīng)人工異常處理后,確定測試圖譜是否發(fā)生偏移。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于晶圓測試系統(tǒng)的管控圖譜偏移的方法,其特征在于,所述異常處理為:
對待測晶圓上的標(biāo)記芯片進(jìn)行手動測試,若是測試結(jié)果和分bin信息一致,則確定圖譜未發(fā)生偏移。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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