[發明專利]使遮罩曝光于極紫外光的方法以及極紫外光微影系統在審
| 申請號: | 202210864126.8 | 申請日: | 2022-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN115524937A | 公開(公告)日: | 2022-12-27 |
| 發明(設計)人: | 謝劼;陳泰佑;林卓穎;簡上傑;陳立銳;劉恒信 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使遮罩 曝光 紫外光 方法 以及 系統 | ||
提供一種使遮罩曝光于極紫外光的方法以及極紫外光微影系統,微影系統能夠阻止諸如錫碎屑的污染物進入掃描器中。根據本揭露內容的各種實施例的微影系統包括一處理器、一極紫外光源、一掃描器及一中空連接部件。光源包括用于產生一液滴的一液滴產生器、用于將極紫外光反射至一中間焦點中的一集光器及用于產生預脈沖光及主脈沖光的一光產生器。液滴回應于液滴由預脈沖光及主脈沖光照明而產生極紫外光。掃描器包括一晶圓載臺。中空連接部件包括與一排氣泵流體連通的一入口。中空連接部件提供中間焦點安置所在的一中空空間。中空連接部件安置于極紫外光源與掃描器之間。
技術領域
本揭露是關于一種在一半導體制造工藝中使一遮罩曝光于極紫外光的方法以及極紫外光微影系統。
背景技術
為了制造半導體元件,作為半導體元件的原材料的半導體基板(諸如硅晶圓)必須經歷一系列復雜且精確的程序步驟。為了完成序列,常常必須將晶圓實體地自一個制造設備輸送至另一個制造設備。在這些制造設備內,對半導體基板實行各種程序,諸如擴散、離子布植、化學氣相沉積、光微影、蝕刻、物理氣相沉積及化學機械研磨。
亦稱作光學微影或微影的光微影是用于使用光將光罩(例如,遮罩)的復雜圖案轉印至基板(例如,晶圓)的經光阻涂布的表面上的工藝。后續處理包括在基板上創建光罩的永久圖案。
在現代光微影工藝中,產生極紫外(extreme ultraviolet,EUV)光的光源是用于將高度復雜的圖案轉印至基板上。
發明內容
于一些實施方式中,在一半導體制造工藝中使一遮罩曝光于極紫外光的方法,包含以下步驟:在一極紫外光微影系統中裝載遮罩,極紫外光微影系統包括:一中空連接部件,中空連接部件在一極紫外光源與一掃描器之間,中空連接部件包括與一排氣泵流體連通的一入口;操作排氣泵;及使遮罩曝露于來自極紫外光源的極紫外光。
于一些實施方式中,在一半導體制造工藝中使一遮罩曝光于極紫外光的方法,包含以下步驟:由一處理器判定一排氣泵的一操作參數,步驟包括以下步驟:量測一微影系統的一掃描器中的真空壓力;及基于掃描器中的真空壓力來判定操作排氣泵所用的一速度,其中排氣泵與一中空連接部件流體連通,中空連接部件在掃描器與微影系統的一光源之間。
于一些實施方式中,極紫外光微影系統包含處理器、極紫外光源、掃描器以及中空連接部件。極紫外光源包含液滴產生器、集光器以及光產生器。液滴產生器用以產生一液滴。集光器用以將極紫外光反射至一中間焦點中。光產生器用以產生預脈沖光及主脈沖光。液滴回應于液滴由預脈沖光及主脈沖光照明而產生極紫外光。掃描器包含遮罩載臺以及基板臺。中空連接部件包括與一排氣泵流體連通的一入口。中空連接部件包括中間焦點安置所在的一中空空間,中空連接部件安置于極紫外光源與掃描器之間。
附圖說明
本揭露的態樣將在結合附圖閱讀時自以下詳細描述最佳地了解。請注意,根據產業中的標準方法,各種特征未按比例繪制。實際上,為了論述清楚起見,各種特征的尺寸可任意地增大或減小。
圖1為根據本揭露內容的一或多個實施例的經組態具有污染減弱模組的極紫外光微影系統的示意性視圖,污染減弱模組用以減少進入極紫外光微影系統的掃描器中的污染物的量;
根據本揭露內容的一或多個實施例,圖2為連接至極紫外光微影系統的掃描器的極紫外光源的示意橫截面圖;
根據本揭露內容的一或多個實施例,圖3為中空連接部件(經組態具有排氣泵的入口)的示意性視圖,中空連接部件提供自極紫外光源產生的極紫外光至掃描器的傳遞;
根據本揭露內容的一或多個實施例,圖4為經組態具有包括多個吸取開口的入口的中空連接部件的橫截面圖;
根據本揭露內容的一或多個實施例,圖5為經組態具有排氣泵的入口及磁體部件的中空連接部件的示意性視圖;
根據本揭露內容的一或多個實施例,圖6為圖5所圖示的中空連接部件的橫截面圖;
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