[發明專利]半導體存儲器裝置和制造該半導體存儲器裝置的方法

在審

• 申請號: 202210861815.3
• 申請日: 2022-07-22
• 公開（公告）號: CN116033754A
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 崔元根;金場院;張晶植
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H10B43/27
• 分類號: H10B43/27;H10B63/00;H10B63/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 葉朝君;孫東喜

1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

第一層疊結構，該第一層疊結構在限定有單元區域和減薄區域的下結構上方，該第一層疊結構包括多條第一選通線；

第一層間絕緣結構，該第一層間絕緣結構在所述第一層疊結構上方；

第二層疊結構，該第二層疊結構在所述第一層間絕緣結構上方；以及

多個垂直插塞，所述多個垂直插塞在所述單元區域中穿過所述第一層疊結構、所述第一層間絕緣結構和所述第二層疊結構。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，在所述減薄區域中所述第一層間絕緣結構的邊緣具有臺階形狀。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括在所述第一層間絕緣結構上方的第二層間絕緣結構。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，在所述減薄區域中所述第二層間絕緣結構的邊緣具有臺階形狀。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

形成在所述第一選通線之間以及第二選通線之間的層間絕緣層。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一層間絕緣結構和所述第二層間絕緣結構由與所述層間絕緣層相同材料的層形成，并且

其中，形成在所述減薄區域中的所述第一層疊結構和所述第二層疊結構的邊緣形成為臺階形狀。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一層間絕緣結構和所述第二層間絕緣結構比各個所述層間絕緣層厚。

8.根據權利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一層間絕緣結構的臺階形狀的高度和距離不同于所述第一層疊結構中的除了所述第一層間絕緣結構之外的部分的臺階形狀的高度和距離，并且

所述第二層間絕緣結構的臺階形狀的高度和距離不同于所述第二層疊結構中的除了所述第二層間絕緣結構之外的部分的臺階形狀的高度和距離。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，各個所述垂直插塞包括沿著垂直穿過所述第一層疊結構和所述第二層疊結構的垂直孔的內壁依次形成的存儲器層、溝道層和垂直絕緣層。

10.根據權利要求4所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一層間絕緣結構和所述第二層間絕緣結構具有至少兩個或更多個臺階形狀。

11.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

形成在所述第一層間絕緣結構和所述第二層間絕緣結構之間的第三層間絕緣結構。

12.根據權利要求11所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第三層間絕緣結構比各個層間絕緣層厚。

13.根據權利要求11所述的半導體存儲器裝置，其中，所述垂直插塞還包括形成在穿過所述第三層間絕緣結構的部分中的第三垂直插塞。

14.根據權利要求13所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第三垂直插塞將第一部分和第二部分連接；

其中，所述第一部分穿過所述第一層疊結構和所述第一層間絕緣結構；并且

其中，所述第二部分穿過包括在所述垂直插塞中的溝道層當中的所述第二層疊結構和所述第二層間絕緣結構。