[發明專利]一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件及其制備方法

在審

• 申請號: 202210861448.7
• 申請日: 2022-07-22
• 公開（公告）號: CN115148840A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 蔡惠玲;朱長飛;陳濤
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: H01L31/046
• 分類號: H01L31/046;H01L31/18
• 代理公司: 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732
• 代理人: 周新楣

1.一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在鍍有透明導電層的玻璃基板上進行刻劃，按照設計的圖案劃分透明導電層；

(2)在步驟(1)所述的透明導電層之上沉積一層電子傳輸層；

(3)在步驟(2)所述的電子傳輸層之上沉積一層硒化銻吸收層；

(4)在步驟(3)所述的硒化銻吸收層之上沉積一層空穴傳輸層；

(5)在步驟(4)得到的薄膜之上進行刻劃，按照設計的圖案劃分電子傳輸層、硒化銻吸收層和空穴傳輸層；

(6)在步驟(5)得到的薄膜之上沉積一層背電極；

(7)在步驟(6)得到的薄膜之上進行刻劃，按照設計的圖案劃分背電極。

2.根據權利要求1所述的一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述的透明導電層為ITO膜或FTO膜。

3.根據權利要求1或2所述的一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層材料為硫化鎘、氧化鋅、氧化錫和二氧化鈦的一種或多種；所述電子傳輸層材料沉積方法為水浴沉積法或溶膠凝膠法。

4.根據權利要求3所述的一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述沉積方法為真空熱蒸發法，步驟(2)得到的襯底加熱溫度為300～340℃，蒸發設備的本底真空為4×10^-5～6×10^-5Pa；硒化銻粉末的蒸發速率為硒化銻薄膜的沉積厚度為350～450nm，沉積結束后在氮氣氛圍下，在350～400℃的條件下退火8～12min。

5.根據權利要求1、2或4所述的一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述的空穴傳輸層材料為Spiro-OMeTAD、P₃HT、氧化鎳、氧化釩、硫化錳、硫化鉬中的一種。

6.根據權利要求5所述的一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述的空穴傳輸層材料沉積方法為旋涂、熱蒸發或刮涂。

7.根據權利要求6所述的一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，步驟(6)所述的背電極材料為金、銀、鋁、鎳、銅中的一種。

8.根據權利要求6或7所述的一種大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，步驟(6)所述的背電極材料的沉積方法為真空熱蒸發法，本底真空為4×10^-4～6×10^-4Pa，蒸發沉積背電極時薄膜不加熱，沉積速率為沉積厚度為50～70nm。

9.權利要求1～8任一項所述的制備方法制備得到的大面積硒化銻薄膜太陽能電池組件。