[發明專利]基于LTCC工藝的高Q值高矩形系數的諧振式耦合濾波器

在審

• 申請號: 202210860464.4
• 申請日: 2022-07-21
• 公開（公告）號: CN115173826A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 羅昌桅;盧冠宇;曲兆娟;譚金剛;王莉莉;劉楠
• 申請（專利權）人: 嘉興佳利電子有限公司
• 主分類號: H03H1/00
• 分類號: H03H1/00;H03H7/01
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務所有限公司 33214
• 代理人: 徐金杰

1.基于LTCC工藝的高Q值高矩形系數的諧振式耦合濾波器，包括基體（1）、輸入輸出外電極（2）以及接地外電極（3），兩個輸入輸出外電極（2）設置在基體（1）相對的兩個側面，兩個接地外電極（3）設置在基體（1）另外兩個相對的側面，其特征在于：所述基體（1）由多個電介質板堆疊形成，且該多個電介質板包括，

第一基板，其上形成有第一接地層（9）；

第二基板，疊置于第一基板上方，且第二基板上形成有第一導體層（480）、第五導體層（880），位于第一導體層（480）中的多個第一導電過孔柱（400），以及位于第五導體層（880）中的多個第五導電過孔柱（800）；

第三基板，疊置于第二基板上方，且第三基板上形成有第二導體層（570）、第三導體層（670）和第四導體層（770）；位于第二導體層（570）中的多個第二導電過孔柱（500），位于第三導體層（670）中的多個第三導電過孔柱（600），位于第四導體層（770）中的多個第四導電過孔柱（700）；

第四基板，疊置于第三基板上方，且第四基板上形成有第六導體層（661）；

第五基板，疊置于第四基板上方，且第五基板上形成有第七導體層（450）、第八導體層（550）、第九導體層（650）、第十導體層（750）和第十一導體層（850），多個第一導電過孔柱（400）、多個第二導電過孔柱（500）、多個第三導電過孔柱（600）、多個第四導電過孔柱（700）和多個第五導電過孔柱（800）分別位于第七導體層（450）、第八導體層（550）、第九導體層（650）、第十導體層（750）和第十一導體層（850）中，

第六基板，疊置于第五基板上方，且第六基板上形成有第十二導體層（640），且多個第三導電過孔柱（600）位于第十二導體層（640）中；

第七基板，疊置于第六基板上方，且第七基板上形成有第二接地層（10），且第二接地層（10）的兩端分別延伸出與輸入輸出外電極（2）相耦合的輸出電極（11）和輸入電極（12），且多個第一導電過孔柱（400）、多個第二導電過孔柱（500）、多個第三導電過孔柱（600）、多個第四導電過孔柱（700）和多個第五導電過孔柱（800）均連接至第二接地層（10）；

其中，多個電介質板中的多個第一導電過孔柱（400）相應連通形成第一諧振電感L1，多個電介質板中的第二導電過孔柱（500）相應連通形成第二諧振電感L2，多個第三導電過孔柱（600）相應連通形成第一諧振電感L3，多個電介質板中的第四導電過孔柱（700）相應連通形成第四諧振電感L4，多個電介質板中的第五導電過孔柱（800）相應連通形成第五諧振電感L5，

第一導體層（480）與第一接地層（9）形成下地電容C1，第二導體層（580）與第一接地層（9）形成下地電容C2，第三導體層（680）與第一接地層（9）形成下地電容C3，第四導體層（780）與第一接地層（9）形成下地電容C4，第五導體層（880）與第一接地層（9）形成下地電容C5，

第一諧振電感L1與下地電容C1并聯形成諧振單元A，第二諧振電感L2與下地電容C2形成諧振單元B，第三諧振電感L3與下地電容C3并聯形成諧振單元C，第四諧振電感L4與下地電容C4形成諧振單元D，第五諧振電感L5與下地電容C5形成諧振單元E，且諧振單元A、諧振單元B與諧振單元C、諧振單元D互成鏡像設置；

其中，第二導體層（580）與第一導體層（480）形成耦合電容C12，第四導體層（780）與第五導體層（880）形成耦合電容C45，第六導體層（661）與第二導體層（580）、第四導體層（780）形成交叉耦合電容C24，第十二導體層（640）的兩側分別延伸至第八導體層（550）、第十導體層（750）的上方，與第八導體層（550）、第十導體層（750）分別形成耦合電容C14和耦合電容C25。

2.根據權利要求1所述的基于LTCC工藝的高Q值高矩形系數的諧振式耦合濾波器，其特征在于：所述第一諧振電感L1、第二諧振電感L2、第四諧振電感L4、第五諧振電感L5分別由間隔設置的兩個導電過孔柱群組成，所述第三諧振電感L3由一個導電過孔柱群組成。