[發明專利]柵極結構和包括該柵極結構的半導體器件

在審

• 申請號: 202210859821.5
• 申請日: 2022-07-20
• 公開（公告）號: CN115732547A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 李在珍;金瑩俊;樸薰榮;尹泰景;李殷沃
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H10B12/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 孫尚白;倪斌

本公開涉及一種柵極結構，包括：第一柵電極，包括金屬；柵極阻擋圖案，在第一柵電極上，并且包括金屬氮化物；以及第二柵電極，在柵極阻擋圖案上。柵極結構被掩埋在襯底的上部中。柵極阻擋圖案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2021年8月24日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申請No.10-2021-0111395的優先權，其全部公開內容通過引用合并于此。

技術領域

本公開的示例實施例涉及一種柵極結構和一種包括該柵極結構的半導體器件。

背景技術

在DRAM器件中，可以通過在襯底上形成凹槽并在該凹槽中順序地形成第一柵電極、第二柵電極和柵極掩模來形成掩埋柵極結構。第一柵電極和第二柵電極的材料可以擴散到彼此中。

發明內容

一個方面是提供一種具有改進特性的柵極結構。

另一方面是提供一種包括具有改進特性的柵極結構的半導體器件。

根據一個或多個示例實施例的各個方面，提供了一種柵極結構。該柵極結構可以包括：第一柵電極，包括金屬；柵極阻擋圖案，在第一柵電極上，并且包括金屬氮化物；以及第二柵電極，在柵極阻擋圖案上。柵極結構可以被掩埋在襯底的上部中。柵極阻擋圖案可以具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

根據一個或多個示例實施例的各個方面，提供了一種柵極結構。該柵極結構可以包括：第一柵電極；柵極阻擋圖案結構，在第一柵電極上，該柵極阻擋圖案結構包括第一柵極阻擋圖案和第二柵極阻擋圖案，第一柵極阻擋圖案包括第一材料，第二柵極阻擋圖案包括與第一材料不同的第二材料；以及第二柵電極，在柵極阻擋圖案結構上。柵極結構可以被掩埋在襯底的上部中。柵極阻擋圖案結構可以具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

根據一個或多個示例實施例的各個方面，提供了一種半導體器件。該半導體器件可以包括：有源圖案，在襯底上；隔離圖案，覆蓋有源圖案的側壁；柵極結構，被掩埋在有源圖案和隔離圖案的上部中，并沿平行于襯底的上表面的第一方向延伸；位線結構，接觸有源圖案的中心上表面，并沿平行于襯底的上表面且垂直于第一方向的第二方向延伸；接觸插塞結構，接觸有源圖案的相對端中的每一端的上表面；以及電容器，在接觸插塞結構上。柵極結構可以包括：第一柵電極，沿第一方向延伸，并且包括金屬；柵極阻擋圖案結構，在第一柵電極上，并且包括金屬氮化物；以及第二柵電極，在柵極阻擋圖案結構上。柵極阻擋圖案結構可以具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

附圖說明

參照附圖，根據以下詳細描述，上述和其他方面將變得容易理解，在附圖中：

圖1至圖7是示出了根據示例實施例的形成柵極結構的方法的平面圖和截面圖；

圖8和圖9是示出了根據示例實施例的形成柵極結構的方法的截面圖；

圖10至圖24是示出了根據示例實施例的制造半導體器件的方法的平面圖和截面圖；以及

圖25是示出了根據示例實施例的半導體器件的截面圖。

具體實施方式

將理解，雖然在本文中可以使用術語“第一”、“第二”和/或“第三”來描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應受這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、組件、區域、層或部分與另一個元件、組件、區域、層或部分加以區分。因此，在不脫離本說明書的教導的情況下，以下討論的“第一”元件、組件、區域、層或部分可以被稱為“第二”或“第三”元件、組件、區域、層或部分。

在下文中，在說明書中(并且不一定在權利要求中)，與襯底的上表面基本平行并且彼此基本垂直的兩個方向可以分別被稱為第一方向D1和第二方向D2，并且基本平行于襯底的上表面并且相對于第一方向D1和第二方向D2具有銳角的方向可以被稱為第三方向D3。