[發(fā)明專利]一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板及制備方法

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• 申請日: 2022-07-21
• 公開（公告）號: CN115084168A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳宇懷
• 申請（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 福州市鼓樓區(qū)京華專利事務(wù)所(普通合伙) 35212
• 代理人: 王牌

1.一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：包括：

基板；

第一金屬層，設(shè)于所述基板上；

第一絕緣層，設(shè)于所述第一金屬層上；所述第一絕緣層還開設(shè)有第一通孔，從所述第一通孔露出所述第一金屬層上表面；

有源層，設(shè)于所述第一絕緣層上；

第二金屬層，設(shè)于所述有源層上，且通過所述第一通孔和所述第一金屬層連接；

第二絕緣層，設(shè)于所述第二金屬層上；

第三絕緣層，設(shè)于所述第二絕緣層上；

第三金屬層，設(shè)于所述第三絕緣層上對應(yīng)TFT的公共電極搭接區(qū)；

第四絕緣層，設(shè)于所述第三金屬層上方，并在公共電極搭接區(qū)開設(shè)有第二通孔，從所述第二通孔露出所述第三金屬層的上表面；

第一ITO層，設(shè)于所述第四絕緣層上，并通過所述第二通孔與所述第三金屬層連接；

第五絕緣層，設(shè)于所述第一ITO層上；所述第五絕緣層在TFT的漏極區(qū)還開設(shè)有第三通孔，從所述第三通孔露出所述第二金屬層上表面；所述第五絕緣層在TFT上方的無效區(qū)還開設(shè)有凹槽區(qū)，且所述凹槽區(qū)向下貫穿所述第四絕緣層露出所述第三絕緣層上表面；所述第五絕緣層在TFT與TFT之間開設(shè)有隔斷區(qū)，且所述隔斷區(qū)向下貫穿所述第四絕緣層露出所述第三絕緣層上表面；

第二ITO層，設(shè)于所述第三通孔處，并通過所述第三通孔和漏極區(qū)的所述第二金屬層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述凹槽區(qū)的底部和隔斷區(qū)的底部分別設(shè)有墊層，所述墊層和所述第三金屬層位于同一水平面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述第一金屬層采用鋁、鉬、鈦、鎳、銅、銀、或鎢中的一種或多種、或者合金制備；

所述第二金屬層和第一金屬層采用相同的材料制備。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述第一金屬層采用夾層式結(jié)構(gòu)為：Ti/Al/Ti、Al/Ti、Al/Mo、或Mo/Al/Mo。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述第一絕緣層采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鈦、或氧化鋁制備；

所述第二絕緣層、第四絕緣層、第五絕緣層和第一絕緣層采用相同的材料制備。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料制備。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述第三絕緣層采用有機高分子材料制備。

8.一種高穩(wěn)定性的氧化物薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于：如權(quán)利要求2所述的低應(yīng)力氧化物薄膜晶體管陣列基板的制備方法包括以下步驟：

S1、在基板之上成膜制作第一金屬層；

S2、在所述第一金屬層上制作第一絕緣層；

S3、在所述第一絕緣層之上制作有源層，然后在所述第一絕緣層上制作第一通孔，露出第一金屬層上表面；

S4、在所述有源層之上成膜制作第二金屬層，所述第二金屬層通過所述第一通孔與所述第一金屬層相連；

S5、在所述第二金屬層之上制作第二絕緣層；

S6、在所述第二絕緣層之上制備第三絕緣層；

然后在所述第三絕緣層上對應(yīng)TFT的漏極區(qū)制備出第一穿孔，并露出漏極區(qū)的所述第二絕緣層上表面；

S7、在所述第三絕緣層上對應(yīng)公共電極搭接區(qū)制作第三金屬層，且用和所述第三金屬層相同的材料，在TFT上方的無效區(qū)、TFT器件之間制作墊層；其中，所述墊層和第三金屬層位于同一水平面；

S8、在第三金屬層之上制作第四絕緣層；然后通過蝕刻在公共電極搭接區(qū)制備第二通孔，露出所述第三金屬層上表面；

S9、在第四絕緣層上，利用透明導(dǎo)電材料ITO制備第一ITO層，并通過第二通孔與第三金屬層相連；

S10、在所述第一ITO層之上制備第五絕緣層，然后通過蝕刻工藝在第一穿孔的上方進一步制備出第二穿孔，第二穿孔向下穿過第二絕緣層，露出第二金屬層上表面，形成第三通孔；同時在所述墊層的位置蝕刻出凹槽區(qū)和隔斷區(qū)；

S11、利用ITO透明導(dǎo)電材料制備第二ITO層，并通過所述第三通孔與漏極區(qū)的第二金屬層相連。