[發(fā)明專利]一種高線性度低噪聲放大器芯片

在審

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• 申請日: 2022-07-20
• 公開（公告）號: CN115118229A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設計）人: 蔡德龍;吳奕蓬
• 申請（專利權）人: 西安博瑞集信電子科技有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/56;H03F3/19
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 孟潔

1.一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于，包括射頻主電路、輸入匹配電路、輸出匹配網(wǎng)絡、有源偏置電路和線性輔助電路，

其中，射頻信號由射頻輸入端口RFin輸入，經輸入匹配電路，進入射頻主電路的輸入端，射頻主電路的輸出端連接輸出匹配電路，經過放大后的射頻信號經輸出匹配電路自射頻輸出端口RFout輸出；

所述有源偏置電路的一端與射頻主電路的輸出端連接，另一端與射頻主電路的輸入端相連，為射頻主電路提供偏置；

所述線性輔助電路的一端與射頻主電路的輸出端連接，另一端與射頻主電路的輸入端相連，第三端與射頻主電路內部連接；

射頻主電路的輸出端通過電阻Rs與電感L，連接電源VDD進行饋電。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于：所述射頻主電路包含晶體管T1，電阻R7，源級電感Ls；

所述射頻信號由晶體管T1的柵極輸入，晶體管T1的漏極連接電阻R7的一端，R7的另一端連接所述輸出匹配電路的輸入端；晶體管T1的源級連接電感Ls的第一端，Ls的另一端接地；

所述晶體管T1的源級連接線性輔助電路的一端。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于：所述輸入匹配電路包含電容C1，電感L1，二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4；

所述射頻信號由電容C1的一端進入，電容C1的另一端連接電感L1的一端，電感L1的另一端連接射頻主電路的輸入端；

所述電容C1與電感L1的連接結點處，連接二極管D1的正向端、二極管D1的反向端連接二極管D2的正向端，二極管D2的反向端連接到地，D2的反向端同時連接二極管D3的正向端，二極管D3的反向端連接二極管D4的正向端。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于，所述有源偏置電路包含晶體管T2、電阻R2、電阻R3、電阻R4；

所述電阻R2的一端與射頻主電路的輸出端相連，電阻R2的另一端連接晶體管T2的漏極，晶體管T2的柵極與漏極短接，晶體管T2的柵極連接電阻R3的第一端，電阻R3的另一端連接射頻主電路的輸入端，

晶體管T2的源級連接電阻R4的一端，電阻R4的另一端接地。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于，所述線性輔助電路包含晶體管T3，電容C3，電阻R5，電阻R6，

所述晶體管T3的漏極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接晶體管T3的源級，晶體管T3的源極連接電阻R5的一端，電阻R5的另一端接地；

晶體管T3的源極連接電容C3的一端，電容C3的另一端連接射頻主電路的輸入端，晶體管T3的柵極與晶體管T1的源極相連。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于，所述輸出匹配電路包含電容C2，電感L2；

其中，射頻信號經過放大后的信號從射頻主電路的輸出端輸出，進入L2的一端，L2的另一端連接電容C2的一端，電容C2的另一端為射頻信號的輸出端。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于，

所述射頻主電路的輸出端連接電阻Rs，電阻Rs的另一端連接電感L，電感L的另一端為電路的供電端；所述電路采用單電源供電。

8.根據(jù)權利要求4所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于，所述電阻R3的另一端與輸入匹配電路的輸出端、射頻主電路的輸入端、線性輔助電路的第二端共用結點P1。

9.根據(jù)權利要求5所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于，所述晶體管T3的漏極與電阻R6的一端、射頻主電路的輸出端、電阻R2、電阻Rs、輸出匹配電路的輸入端共用結點Q。

10.根據(jù)權利要求7所述的一種高線性度低噪聲放大器芯片，其特征在于，所述電感L是片外扼流電感，Rs是片外電阻。