[發明專利]上電復位電路

在審

• 申請號: 202210853614.9
• 申請日: 2022-07-11
• 公開（公告）號: CN115118261A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 張學軍;楊書山
• 申請（專利權）人: 北京澤聲科技有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22;H03K17/284;H03K17/16;H03K17/687
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種上電復位電路，其特征在于，包括：延時模塊和第一反相器；所述延時模塊的第一端和所述第一反相器的第一端分別用于與電源電連接；所述延時模塊的第二端和所述第一反相器的第二端接地；所述延時模塊的第三端與所述第一反相器的第三端電連接；所述第一反相器的第四端用于與數字電路電連接；

所述延時模塊，用于在所述電源傳輸的電信號由低電平變化為高電平時，生成用于控制充電時長的電流，并利用所述電流進行充電，并在充電完成時將生成的輸出電信號傳輸至所述第一反相器；

所述第一反相器，用于在所述輸出電信號的電壓達到預設反向電壓閾值時，將所述輸出電信號進行反相，得到上電復位信號并傳輸至所述數字電路。

2.根據權利要求1所述的上電復位電路，其特征在于，所述延時模塊包括電流生成單元和延時單元；所述電流生成單元的第一端所述電源電連接，所述電流生成單元的第二端接地，所述電流生成單元的第三端與所述延時單元一端電連接；所述延時單元的另一端接地；

所述電流生成單元，用于在所述電源傳輸的電信號由低電平變化為高電平時，生成控制充電時長的電流，并將所述電流傳輸至所述延時單元；

所述延時單元，用于利用所述電流進行充電；

所述電流生成單元，還用于在所述延時單元充電完成時，將生成的所述輸出電信號傳輸至所述第一反相器。

3.根據權利要求2所述的上電復位電路，其特征在于，所述電流生成單元包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；

所述第一MOS管的第一端和所述第三MOS管的第一端分別與所述電源電連接；所述第一MOS管的第三端與所述第三MOS管的第二端電連接；所述第一MOS管的第二端與所述第二MOS管的第一端電連接，所述第二MOS管的第二端接地；所述第三MOS管的第三端與所述延時單元的一端電連接；其中，所述第二MOS管為倒比例管。

4.根據權利要求3所述的上電復位電路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管均為PMOS管；所述第一MOS管的源級和所述第三MOS管的源級分別與所述電源電連接；所述第一MOS管的漏極與所述第二MOS管的源級電連接，所述第二MOS管的漏極接地；所述第一MOS管的漏極和所述第三MOS管的柵極分別與所述第一MOS管的柵極電連接；所述延時單元一端和所述第一反相器的第三端分別與所述第三MOS管的漏極電連接。

5.根據權利要求2-4任一項所述上電復位電路，其特征在于，所述延時單元包括第四MOS管；所述第四MOS管為NMOS管；所述電流生成單元的第三端和所述第一反相器的第三端分別與所述第四MOS管的柵極電連接；所述第四MOS管的源級和漏極均接地。

6.根據權利要求5所述上電復位電路，其特征在于，所述第一反相器包括第五MOS管和第六MOS管；

所述第五MOS管為PMOS管；所述第六MOS管為NMOS管；所述第五MOS管的源級與所述電源電連接，所述第五MOS管的漏極與所述第六MOS管的漏極電連接，所述第六MOS管的源級接地；所述第五MOS管和所述第六MOS管的第一公共端和所述延時模塊的第三端電連接。

7.根據權利要求1-4任一項所述的上電復位電路，其特征在于，還包括：泄電模塊；

所述泄電模塊的第一端與所述電源電連接；所述泄電模塊的第二端接地；所述泄電模塊的第三端與所述延時模塊電連接；

所述泄電模塊，用于在所述電源提供的電信號由高電平轉向低電平時導通；

所述延時模塊，用于在所述泄電模塊導通時泄放存儲的電荷。

8.根據權利要求7所述的上電復位電路，其特征在于，所述泄電模塊包括第七MOS管和第八MOS管；

所述第七MOS管和所述第八MOS管均為PMOS管；所述第七MOS管的源級與所述電源電連接，所述第七MOS管的柵極和漏極均與所述第八MOS管的柵極電連接；所述第八MOS管的漏極接地，所述第八MOS管的源級與所述延時模塊電連接。