[發明專利]晶圓鍵合方法以及背照式圖像傳感器的形成方法在審
| 申請號： | 202210850573.8 | 申請日： | 2022-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN115020436A | 公開（公告）日： | 2022-09-06 |
| 發明（設計）人： | 陶磊;郭育清;張燚;王厚有 | 申請（專利權）人： | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓鍵合 方法 以及 背照式 圖像傳感器 形成 | ||
1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括：
提供一晶圓鍵合結構，所述晶圓鍵合結構包括器件晶圓和承載晶圓，所述器件晶圓包括第一襯底和位于所述第一襯底上的第一鍵合層，所述承載晶圓包括第二襯底和位于所述第二襯底上的第二鍵合層，所述第一鍵合層與所述第二鍵合層鍵合；
對所述晶圓鍵合結構進行氣泡檢查，并判斷氣泡是否合格；若不合格，對所述晶圓鍵合結構進行解鍵合處理以獲得分離的器件晶圓和承載晶圓，去除所述第一鍵合層的表層部分，再對所述器件晶圓和所述承載晶圓進行重新鍵合。
2.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，采用化學機械研磨工藝去除所述第一鍵合層的表層部分。
3.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，去除所述第一鍵合層的表層部分的厚度為180埃~220埃。
4.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，在對所述晶圓鍵合結構進行解鍵合處理之后、對所述器件晶圓和所述承載晶圓進行重新鍵合之前，對所述器件晶圓和承載晶圓的粗糙度和彎曲度進行檢查。
5.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，在對所述器件晶圓和所述承載晶圓進行重新鍵合后，對所述晶圓鍵合結構進行氣泡檢查。
6.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第一鍵合層為氧化層。
7.如權利要求1或6所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，采用PECVD工藝形成所述第一鍵合層。
8.如權利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，所述第二鍵合層為氧化層。
9.如權利要求1或8所述的晶圓鍵合方法，其特征在于，采用熱氧化工藝形成所述第二鍵合層。
10.一種背照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：采用如權利要求1~9中任一項所述的晶圓鍵合方法進行鍵合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于合肥晶合集成電路股份有限公司，未經合肥晶合集成電路股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210850573.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種吲哚菁綠降解雜質及其制備方法和應用
- 下一篇：導熱墊片及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
