[發明專利]一種原位生長羥基氧化鐵改性隔膜及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 202210845738.2 | 申請日： | 2022-07-19 |
| 公開（公告）號： | CN115101892A | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發明（設計）人： | 王思哲;王鑫源;宋浩杰;賈曉華;楊進;李永;邵丹;馮雷 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | H01M50/403 | 分類號： | H01M50/403;H01M50/417;H01M50/431;C01G49/02;H01M10/052;H01M50/451;H01M50/489 |
| 代理公司： | 西安眾和至成知識產權代理事務所(普通合伙) 61249 | 代理人： | 艾慧康 |
| 地址： | 710021*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 原位 生長 羥基 氧化鐵 改性 隔膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種原位生長羥基氧化鐵改性隔膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、將聚丙烯隔膜進行等離子體預處理；
步驟二、稱取鐵源加入到去離子水中，充分攪拌直至完全溶解，形成Fe3+濃度為0.076～0.304mol·L-1的黃色溶液；
步驟三、向步驟二制備的黃色溶液中加入氟化銨，調節pH至6～7，室溫下持續攪拌，得到澄清透明的反應溶液；
步驟四、將步驟三制備的混合溶液轉移到反應釜內膽中，并放入步驟一處理好的隔膜，在60～100℃下水熱反應6～10h；
步驟五、冷卻反應釜到室溫后，將所得產物清洗、烘干得到原位生長有羥基氧化鐵的改性隔膜。
2.如權利要求1所述的原位生長羥基氧化鐵改性隔膜的制備方法，其特征在于，所述的步驟一中的等離子體預處理為將聚丙烯隔膜放入等離子清洗機中表面預處理1～10min。
3.如權利要求1所述的原位生長羥基氧化鐵改性隔膜的制備方法，其特征在于，步驟二中所述的鐵源包括三氯化鐵、硫酸鐵、硝酸鐵或其結晶水合物中的任一種。
4.如權利要求1所述的原位生長羥基氧化鐵改性隔膜的制備方法，其特征在于，步驟二中所述的攪拌為采用磁力攪拌器攪拌15～40min。
5.如權利要求1所述的原位生長羥基氧化鐵改性隔膜的制備方法，其特征在于，步驟三中所述的攪拌為采用磁力攪拌器攪拌反應為2～5h。
6.如權利要求1所述的原位生長羥基氧化鐵改性隔膜的制備方法，其特征在于，步驟五中所述的清洗為采用去離子水和乙醇交替清洗3～10次。
7.如權利要求1所述的原位生長羥基氧化鐵改性隔膜的制備方法，其特征在于，步驟五中所述的烘干為在真空烘箱中40～60℃溫度條件下，烘干2～6h。
8.一種如權利要求1-7中任一項所述的方法制備的原位生長羥基氧化鐵改性隔膜。
9.一種如權利要求8所述的原位生長羥基氧化鐵改性隔膜在鋰硫電池中的應用。
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