[發明專利]充電控制芯片中電流高精度采樣系統復用修調結構及方法

有效

• 申請號: 202210845254.8
• 申請日: 2022-07-19
• 公開（公告）號: CN114910690B
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 陳浩;張航鮮;周江云;吳剛
• 申請（專利權）人: 成都市易沖半導體有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00;G06F9/30
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 舒盛

本發明提供一種充電控制芯片中電流高精度采樣系統復用修調結構及方法，所述修調結構包括寄存器、系統電壓、主功率管Main FET、采樣管Sense FET1，采樣管Sense FET2、電流采樣電路和恒定電流管理電路；電流采樣電路包括電流采樣運放CSA、采樣電阻Rsns、采樣電阻Rsns1、采樣電阻Rsns2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2和采樣選擇電路；恒定電流管理電路包括誤差放大器EA和驅動器；誤差放大器EA內部以及采樣電阻Rsns的一端均設置有修調電路；修調電路受控于寄存器registor輸出的修調碼。本發明可以在較寬的輸出電流范圍實現高精度。

技術領域

本發明涉及充電控制芯片技術領域，具體而言，涉及一種充電控制芯片中電流高精度采樣系統復用修調結構及方法。

背景技術

鋰離子電池廣泛的應用于各種便攜式設備中，與之相關的充電控制芯片擁有巨大的市場潛力，因此充電控制芯片的設計熱度越來越高，其中，高精度電流的設計是其中的一大難點。

充電電流對電池壽命有著巨大的影響，大電流可以降低充電時間，保證充電效率，但同樣帶來電池壽命減少的問題，因此，高精度的充電電流是充電控制芯片設計的關鍵。另外，隨著消費類電子產品出現的巨大市場空間，充電控制芯片兼容不同的應用場景尤為重要，充電控制芯片需要輸出不同的電流。基于以上兩點，寬輸出范圍的高精度電流設計成為了市場的急切需求。

發明內容

本發明旨在提供一種充電控制芯片中電流高精度采樣系統復用修調結構及方法，以在較寬的輸出電流范圍實現高精度。

本發明提供的一種充電控制芯片中電流高精度采樣系統復用修調結構，包括寄存器registor、系統電壓Vsys、主功率管Main FET、采樣管Sense FET1，采樣管Sense FET2、電流采樣電路Current Sense和恒定電流管理電路CCRegulation；所述電流采樣電路CurrentSense包括：電流采樣運放CSA、采樣電阻Rsns、采樣電阻Rsns1、采樣電阻Rsns2、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2和采樣選擇電路CSA_output_sel；所述恒定電流管理電路CCRegulation包括誤差放大器EA和驅動器driver；所述誤差放大器EA內部以及采樣電阻Rsns的一端均設置有修調電路；所述修調電路受控于寄存器registor輸出的修調碼；