[發明專利]一種引入金納米粒子摻雜層的OLED器件及制備方法

在審

• 申請號: 202210835284.0
• 申請日: 2022-07-15
• 公開（公告）號: CN115172615A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 于軍勝;黃志剛;沈邦云;李璐
• 申請（專利權）人: 電子科技大學;電子科技大學長三角研究院（湖州）
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52;B82Y30/00
• 代理公司: 北京天奇智新知識產權代理有限公司 11340
• 代理人: 肖會

1.一種引入金納米粒子摻雜層的OLED器件，其特征在于，OLED器件的結構從下到上依次為玻璃襯底(1)、透明導電陽極ITO(2)、空穴注入層(3)、空穴傳輸層(4)、發光層(5)、電傳輸層、電子注入層(7)和金屬陰極，海膽狀金納米顆粒在空穴注入層(3)中。

2.根據權利要求1所述的一種引入金納米粒子摻雜層的OLED器件，其特征在于，所述空穴注入層(3)材料為PEDOT：PSS，厚度為60nm。

3.根據權利要求1所述的一種引入金納米粒子摻雜層的OLED器件，其特征在于，所述空穴傳輸層(4)材料為TAPC，厚度為10nm。

4.根據權利要求1所述的一種引入金納米粒子摻雜層的OLED器件，其特征在于，所述發光層(5)材料選用PO-01作為客體，NPB作為主體。

5.根據權利要求1所述的一種引入金納米粒子摻雜層的OLED器件，其特征在于，所述電子傳輸層(6)材料為Bepp2，厚度為30nm。

6.根據權利要求1所述的一種引入金納米粒子摻雜層的OLED器件，其特征在于，所述電子注入層(7)材料為LiF，厚度為1nm，所述金屬陰極材料為AL，厚度為100nm。

7.一種OLED器件的制備方法，用于制備如權利要求1-6任一項所述的一種引入金納米粒子摻雜層的OLED器件，其特征在于，制備過程包括以下步驟：

步驟1：對由透明玻璃襯底(1)及透明導電陽極ITO(2)所組成的基板進行清洗，清洗后用氮氣吹干；

步驟2：將配置好的海膽狀金納米顆粒分散液旋涂至透明導電陽極ITO(2)基板上，并將旋涂后的基片進行熱退火處理，蒸發有機溶劑，形成納米顆粒層；

步驟3：在形成的納米顆粒層上旋涂PEDOT：PSS，然后退火處理形成空穴注入層(3)；

步驟4：在真空度為3x10^-6Pa條件下，在空穴注入層(3)表面蒸鍍空穴傳輸層(4)TAPC，然后PO-01與NPB共蒸，厚度為5nm，其中PO-01占比5％，再蒸鍍15nmNPB最后蒸鍍30nm的Bepp2作為電子傳輸層(6)；

步驟5：在真空度為4x10^-6Pa條件下，蒸鍍LiF作為電子注入層(6)和金屬陰極Al。

8.根據權利要求7所述的一種OLED器件的制備方法，其特征在于，步驟2所述海膽狀金納米顆粒分散液濃度為20mg/ml。

9.根據權利要求7所述的一種OLED器件的制備方法，其特征在于，步驟2和步驟3所述熱退火的溫度在130℃，時間范圍為15min。

10.根據權利要求7所述的一種OLED器件的制備方法，其特征在于，所述熱退火方式采用恒溫熱臺加熱、烘箱加熱、遠紅外加熱、熱風加熱中的至少一種。