[發明專利]低介電常數Ba-Ca-R-Si基微波介質陶瓷材料及其制備方法

在審

• 申請號: 202210832766.0
• 申請日: 2022-07-14
• 公開（公告）號: CN115286375A
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 周煥福;王海泉;吳優;李青;戴正立;張海林;陳秀麗
• 申請（專利權）人: 桂林理工大學;貴陽順絡迅達電子有限公司
• 主分類號: C04B35/22
• 分類號: C04B35/22;C04B35/622;C04B35/626
• 代理公司: 桂林文必達專利代理事務所(特殊普通合伙) 45134
• 代理人: 張學平

1.低介電常數Ba-Ca-R-Si基微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

對原料進行配比得到配比原料；

對所述配比原料進行預處理，得到預處理原料；

對所述預處理原料進行加工，得到原料顆粒；

對所述原料顆粒進行壓制，得到低介半成品原料；

使用所述低介半成品原料制備陶瓷材料。

2.如權利要求1所述的低介電常數Ba-Ca-R-Si基微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，

所述對原料進行配比得到配比原料的具體方式為；

將ZnO和MgO進行保溫處理，得到保溫原料；

將所述保溫原料、BaCO₃、CaCO₃、Co₂O₃和SiO₂進行配比，得到配比原料。

3.如權利要求2所述的低介電常數Ba-Ca-R-Si基微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，

所述對所述配比原料進行預處理，得到預處理原料的具體方式為：

將所述配比材料、鋯球和無水乙醇混合后依次進行球磨、烘干、過篩和預燒得到預處理原料。

4.如權利要求3所述的低介電常數Ba-Ca-R-Si基微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，

所述對所述預處理原料進行加工，得到原料顆粒的具體方式為：

將所述預處理原料與鋯球和無水乙醇混合后依次進行球磨和烘桿，得到烘干粉體；

將粘結劑加入所述烘干粉體進行混合，得到原料顆粒。

5.如權利要求4所述的低介電常數Ba-Ca-R-Si基微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，

所述對所述原料顆粒進行壓制，得到低介半成品原料的具體方式為：

將所述原理顆粒進行壓制定型，得到定型材料；

對所述定型材料依次進行保溫排膠和燒結，得到低介半成品。

6.如權利要求5所述的低介電常數Ba-Ca-R-Si基微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，

所述低介半成品包括Ba₂CaZn₂Si₆O₁₇、Ba₂CaMg₂Si₆O₁₇和Ba₂CaCo₂Si₆O₁₇材料。

7.如權利要求6所述的低介電常數Ba-Ca-R-Si基微波介質陶瓷材料的制備方法，其特征在于，

通過Ba₂CaZn₂Si₆O₁₇制成陶瓷材料的具體方式為:

所述烘干粉體通過通式對所述Ba₂CaZn₂Si₆O₁₇進行配料，得到配料原料；

對所述配料原料、鋯球和無水乙醇水混合后依次進行球磨和烘干得到烘干原料；

將粘接劑加入所述烘干原料進行混合并進行壓制，得到壓制材料；

對所述壓制材料依次進行保溫排膠和燒結得到陶瓷材料。