[發(fā)明專利]VB法制備超高純多晶鍺的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210829095.2 | 申請(qǐng)日： | 2022-07-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115233305B | 公開（公告）日： | 2023-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 包文瑧;柳廷龍;普世坤;劉吉才;何永彬;劉晉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 云南中科鑫圓晶體材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B28/06 | 分類號(hào)： | C30B28/06;C30B29/08 |
| 代理公司： | 昆明祥和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 國省代碼： | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | vb 法制 高純 多晶 方法 | ||
1.VB法制備超高純多晶鍺的方法，該方法在超凈工作環(huán)境下進(jìn)行，其特征在于具體包括以下步驟：
步驟1，清洗設(shè)備：使用MOS級(jí)化學(xué)藥品清洗石英管、石英坩堝、石英支撐件及6-8N純度的區(qū)熔鍺錠；
步驟2，安裝VB設(shè)備：將石英支撐固定件、石英管依次安裝至移動(dòng)固定架上；然后再將筒狀碳化硅套入石英管外壁；再將包裹有絕緣層的感應(yīng)線圈套到筒狀碳化硅環(huán)外壁，并連接高頻感應(yīng)控制柜；
步驟3，原料裝入：將鍺錠裝入石英坩堝，并將其裝入石英管內(nèi)，裝上密封蓋，石英管內(nèi)先通入高純氮?dú)獯祾?0-40分鐘，再通入高純氫氣吹掃30-40分鐘，排出石英管空間內(nèi)的微塵和氧；
步驟4，原料熔化：緩慢開啟控制柜的高頻狀態(tài)，通過高頻感應(yīng)筒狀碳化硅產(chǎn)生熱量輸送到區(qū)熔鍺錠，使其熔化；
步驟5，VB法生長晶體：固定架承載載體緩慢下降，高頻感應(yīng)線圈加熱維持熔體不變；通過載體下降致使熔體下降達(dá)到凝固溫度而結(jié)晶；熔體內(nèi)的微量雜質(zhì)隨固液結(jié)晶面而富集在結(jié)晶層；直至鍺溶液載體下降到全部變?yōu)榻Y(jié)晶固體后，關(guān)閉高頻感應(yīng)加熱，關(guān)閉固定架下降；
步驟6，重復(fù)步驟5，使微量雜質(zhì)元素富集至結(jié)晶體的下端，并獲得純度至少為12N的鍺多晶體。
2.如權(quán)利要求1所示的VB法制備超高純多晶鍺的方法，其特征在于所述的石英管、石英坩堝的微量雜質(zhì)含量小于0.1%PPM。
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