[發明專利]太陽能電池的制備方法在審
| 申請號： | 202210826352.7 | 申請日： | 2022-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN115172523A | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 萬義茂;柯益萍;陳文浩;于元元;邱楊海粟;陳鵬輝;劉琦;陳炎 | 申請（專利權）人： | 東方日升新能源股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 呂露 |
| 地址： | 315600 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：
在制絨后的硅片上沉積摻硼非晶硅薄膜層；
利用激光在所述摻硼非晶硅薄膜層上形成發射極區；
對硅片在800℃-1100℃進行硼擴散，以使所述發射極區形成重擴區，其余區域形成輕擴區；
去除硅片背面的硼摻雜層和繞擴；
在硅片背面形成隧穿氧化層和摻雜非晶硅層；
對硅片退火，以使所述摻雜非晶硅層晶化成摻雜多晶硅；
在硅片正背面形成鈍化層；
進行絲網印刷。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述摻硼非晶硅薄膜層的厚度10nm-120nm。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述激光的功率為10W-100W。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述激光的速度為200mm/s-80000mm/s。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述激光的頻率為200kHz-600kHz。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述激光的波長為200nm-1100nm。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，
所述對硅片在800℃-1100℃進行硼擴散的步驟，包括：
對硅片在800℃-1100℃高溫推進；可選地，氧氣流量為0-30000sccm；可選地，氮氣流量為0-30000sccm，可選地，高溫推進時間為10min-180min。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述對硅片在800℃-1100℃高溫推進是在管式設備中進行。
9.根據權利要求1-8任一項所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，
所述制備方法還包括：
對硅片進行RCA清洗的步驟；所述對硅片進行RCA清洗的步驟在所述利用激光在所述摻硼非晶硅薄膜層上形成發射極區步驟之后，且在所述對硅片在800℃-1100℃進行硼擴散的步驟之前。
10.根據權利要求1-8任一項所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，
所述制絨后的硅片的制備方法包括：
將硅片制絨獲得倒金字塔結構，可選地，制絨后所述硅片減重0.3g-0.5g，可選地，制絨后的所述硅片的反射率8％-10％。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
