[發明專利]逆變器以及像素電路

在審

• 申請號: 202210826223.8
• 申請日: 2022-07-13
• 公開（公告）號: CN115064116A
• 公開（公告）日: 2022-09-16
• 發明（設計）人: 陳衍豪;江家維;范揚順
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;G09G3/3233;H02M7/00;H02M7/46;H02M7/537
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王銳

1.一種逆變器，包括：

二極管，包括：

第一半導體溝道結構；

第一電極，重疊且分離于該第一半導體溝道結構的第一溝道區；以及

第二電極以及第三電極，分別電連接該第一半導體溝道結構，其中該第二電極電連接至該第一電極；以及

開關薄膜晶體管，包括：

第二半導體溝道結構；

柵極，重疊且分離于該第二半導體溝道結構的第二溝道區，其中該第一溝道區的載流子遷移率大于該第二溝道區的載流子遷移率；以及

漏極以及源極，分別電連接至該第二半導體溝道結構，且該漏極電連接至該二極管的該第三電極。

2.如權利要求1所述的逆變器，還包括：

柵介電層，位于該第一半導體溝道結構與該第一電極之間以及該第二半導體溝道結構與該柵極之間；以及

層間介電層，位于該柵介電層、該柵極以及該第一電極上，其中該第二電極以及該第三電極分別通過穿過該層間介電層以及該柵介電層的第一接觸孔以及第二接觸孔而電連接至該第一半導體溝道結構，該漏極以及該源極分別通過穿過該層間介電層以及該柵介電層的第三接觸孔以及第四接觸孔而電連接至該第二半導體溝道結構，且該第二電極通過穿過該層間介電層的第五接觸孔而電連接至該第一電極。

3.如權利要求1所述的逆變器，其中該第一半導體溝道結構包括：

第一金屬氧化物層；以及

第二金屬氧化物層，位于該第一金屬氧化物層上，其中該第一溝道區包括該第一金屬氧化物層與該第二金屬氧化物層的重疊部分。

4.如權利要求3所述的逆變器，其中該第二金屬氧化物層覆蓋該第一金屬氧化物層的頂面以及側壁，并自該第一金屬氧化物層的該側壁向外延伸。

5.如權利要求3所述的逆變器，其中該第一半導體溝道結構包括第三金屬氧化物層，其中該第三金屬氧化物層與該第二金屬氧化物層屬于相同圖案化膜層。

6.一種像素電路，包括：

開關元件，電連接至掃描線以及數據線；

逆變器，包括：

二極管；以及

開關薄膜晶體管，電連接至該二極管，其中該二極管的第一半導體溝道結構的第一溝道區的載流子遷移率大于該開關薄膜晶體管的第二半導體溝道結構的第二溝道區的載流子遷移率；

第一驅動晶體管，該第一驅動晶體管的第一柵極電連接該開關元件；以及

第二驅動晶體管，該第二驅動晶體管的第二柵極通過該逆變器而電連接該開關元件。

7.如權利要求6所述的像素電路，其中該逆變器包括：

該二極管，包括：

該第一半導體溝道結構；

第一電極，重疊且分離于該第一半導體溝道結構的該第一溝道區；以及

第二電極以及第三電極，分別電連接該第一半導體溝道結構，其中該第二電極電連接至該第一電極；以及

該開關薄膜晶體管，包括：

該第二半導體溝道結構；

柵極，重疊且分離于該第二半導體溝道結構的該第二溝道區，其中該第一溝道區的載流子遷移率大于該第二溝道區的載流子遷移率；以及

漏極以及源極，分別電連接至該第二半導體溝道結構，且該漏極電連接至該二極管的該第三電極。

8.如權利要求6所述的像素電路，還包括：

發光二極管，電連接該第一驅動晶體管的第一源極以及該第二驅動晶體管的第二源極；

第一存儲電容，電連接該第一驅動晶體管的該第一柵極以及該第一驅動晶體管的該第一源極；以及

第二存儲電容，電連接該第二驅動晶體管的該第二柵極以及該第二驅動晶體管的該第二源極。

9.如權利要求8所述的像素電路，還包括：

重置晶體管，電連接至該第一源極以及該第二源極。

10.如權利要求6所述的像素電路，其中該第一驅動晶體管的第一漏極電連接至該第二驅動晶體管的第二漏極。