[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 202210825345.5
• 申請日: 2022-07-14
• 公開（公告）號: CN115332410A
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 楊人龍;張平;張麗明;張玉杰;張中英
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，包括：

半導體疊層，所述半導體疊層包括第一半導體層、第二半導體層、以及在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間設置的有源層；

透明導電層，所述透明導電層位于所述電流阻擋層上及/或所述第二半導體層上；

絕緣層，形成在所述透明導電層上，所述絕緣層具有一系列開口；

第一電極，包括形成于所述絕緣層之上，并與所述第一半導體層形成電連接；

第二電極，形成于所述絕緣層之上，并與所述第二半導體層形成電連接，所述第二電極包括第二焊盤部和第二擴展部；

電流阻擋層，設置在所述半導體疊層上，并位于所述第二擴展部之下；

其中，所述電流阻擋層包括第一部分和與所述第一部分相鄰的第二部分，所述第一部分與所述絕緣層開口在所述半導體疊層的投影方向上具有重疊的面積，所述第一部分與所述第二擴展部的距離為T1，所述第二部分與所述第二擴展部的距離為T2，所述T1大于T2。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述T1與T2的差值為0.5~15μm。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一部分與所述第二擴展部的距離為6~18μm，所述第二部分與所述第二擴展部的距離為3~10μm。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述絕緣層開口包括第一開口以露出所述透明導電層的部分表面，所述電流阻擋層的第一部分與所述第一開口在所述半導體疊層上的投影方向上具有重疊的面積，在平行于所述第二擴展部的延伸方向上，所述第二擴展部通過所述第一開口與所述透明導電層接觸的距離介于5~30μm。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，在平行于所述第二擴展部的延伸方向上，所述第一部分的寬度為5~30μm，所述第二部分的寬度大于15μm。

6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述透明導電層具有第二開口以露出所述第二半導體層的部分表面，所述絕緣層具有第三開口以露出所述第二半導體層的部分表面，所述第二開口和所述第三開口在所述半導體疊層上的投影具有重疊面積，所述第二焊盤部通過所述第二開口和所述第三開口與所述半導體層接觸。

7.根據權利要求6所述的發光二極管，其特征在于，所述絕緣層第三開口與所述透明導電層的第二開口之間的最小距離小于3μm。

8.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述半導體疊層包括貫穿所述第二半導體層和所述有源層形成的臺面以及一個或多個通孔以通過其暴露所述第一半導體層的部分表面，所述第一電極包括第一焊盤部和第一擴展部，所述第一焊盤部位于所述臺面上，所述第一擴展部位于所述絕緣層上，所述第一擴展部自所述第一焊盤部向所述第二焊盤部延伸。

9.根據權利要求9所述的發光二極管，其特征在于，所述絕緣層覆蓋所述半導體疊層通孔側壁，所述絕緣層具有第五開口以露出所述第一半導體層的部分表面，所述第一擴展部的末端通過所述第五開口內與所述第一半導體層接觸，在平行于所述第一擴展部的延伸方向上，所述第一擴展部的末端與所述絕緣層的第五開口的距離小于10μm。

10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，在平行于所述第二擴展部的延伸方向上，所述第二擴展部的末端與所述電流阻擋層的距離為0~20μm。