[發明專利]一種基于非晶碳的低電流熱穩定互補型憶阻器及其制備方法在審
| 申請號： | 202210823850.6 | 申請日： | 2022-07-14 |
| 公開（公告）號： | CN115207214A | 公開（公告）日： | 2022-10-18 |
| 發明（設計）人： | 趙曉寧;田巧玲;王中強;徐海陽;劉益春 | 申請（專利權）人： | 東北師范大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 遼寧鴻文知識產權代理有限公司 21102 | 代理人： | 王海波 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 非晶碳 電流 穩定 互補 型憶阻器 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于非晶碳的低電流熱穩定互補型憶阻器，其特征在于：所述的低電流熱穩定互補型憶阻器由下至上依次包括底電極層、含有限活性金屬非晶碳層(L1)、純非晶碳介質層(L2)、頂電極層；所述有限活性金屬非晶碳層(L1)中活性金屬包括銅或銀，活性金屬含量的原子比為0.1％-2.5％；
所述的含有限活性金屬非晶碳層的厚度為10-30納米，活性金屬含量為原子比0.1％-2.5％；
所述的底電極層和頂電極層的厚度均為20-30納米，均采用惰性金屬；
所述的純非晶碳介質層的厚度為20-50納米。
2.如權利要求1所述的一種基于非晶碳的低電流熱穩定互補型憶阻器，其特征在于：所述的活性金屬包括銅或銀。
3.如權利要求1或所述的一種基于非晶碳的低電流熱穩定互補型憶阻器，其特征在于：所述的惰性金屬為鉑、金、鎢中的一種。
4.權利要求1-3任一所述一種基于非晶碳的低電流熱穩定互補型憶阻器的制備方法，其特征在于步驟如下：
步驟一：采用熱蒸鍍或磁控濺射方法制備底電極層；
步驟二：采用磁控濺射或原子層沉積脈沖激光沉積方法生成含有限活性金屬非晶碳層；
步驟三：熱退火含有限活性金屬非晶碳層，在高溫惰性氛圍下退火處理，退火氛圍為純氬氣或者純氮氣的一種，退火溫度為200-300℃，退火時長為3-10分鐘；
步驟四：采用磁控濺射或原子層沉積脈沖激光沉積生成純非晶碳介質層；
步驟五：采用熱蒸鍍或磁控濺射方法制備頂電極層。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于：底電極和頂電極制備方法為熱蒸發或磁控濺射中的一種；有限活性金屬非晶碳層制備方法為磁控濺射、原子層沉積脈沖激光沉積中的一種，并在高溫惰性氛圍下退火處理，退火氛圍為純氬氣或者純氮氣的一種；所述純非晶碳介質層制備方法為磁控濺射、原子層沉積脈沖激光沉積中的一種。
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