[發明專利]芯片結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202210822771.3
• 申請日: 2022-07-12
• 公開（公告）號: CN115332211A
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發明（設計）人: 李佳
• 申請（專利權）人: 深圳中子星半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/492
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張小芬

1.一種芯片結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

提供一引線框架和一芯片；

對所述引線框架的正面進行蝕刻，在所述引線框架的正面形成半蝕刻區域和正面覆有第一銀層的連接凸起，所述連接凸起呈預設圖形；

在所述芯片的正面印刷第二銀層，所述第二銀層呈所述預設圖形；

將所述引線框架放置于所述芯片的正面，使所述連接凸起與所述第二銀層接觸并重合；

對所述引線框架和所述芯片進行壓力燒結，使所述第一銀層與所述第二銀層連接；

采用機械研磨工藝去除所述引線框架上除所述連接凸起以外的部分，得到芯片結構。

2.根據權利要求1所述的芯片結構的制備方法，其特征在于，所述在所述芯片的正面印刷所述第二銀層包括：

將刻有所述預設圖形的網版覆蓋在所述芯片的正面，將銀膏通過所述網版印刷到所述芯片的正面上，以形成所述第二銀層。

3.一種芯片結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一引線框架和一晶圓；

對所述引線框架的正面進行蝕刻，在所述引線框架的正面形成半蝕刻區域和多個正面覆有第一銀層的連接凸起，所述連接凸起呈預設圖形；

在所述晶圓的正面印刷第二銀層，所述第二銀層包括多個呈所述預設圖形的連接部，多個所述連接部與多個所述連接凸起一一對應；

將所述引線框架放置于所述晶圓的正面，使多個所述連接凸起與多個所述連接部一一對應地接觸并重合；

對所述引線框架和所述晶圓進行壓力燒結，使所述第一銀層與所述第二銀層連接；

采用機械研磨工藝去除所述引線框架上除多個所述連接凸起以外的部分；

對所述晶圓進行劃片，得到多個芯片結構。

4.根據權利要求3所述的芯片結構的制備方法，其特征在于，所述在所述晶圓的正面印刷所述第二銀層包括：

將刻有多個所述預設圖形的網版覆蓋在所述晶圓的正面，將銀膏通過所述網版印刷到所述晶圓的正面上，以形成所述第二銀層。

5.根據權利要求1～4任一項所述的芯片結構的制備方法，其特征在于，所述對所述引線框架的正面進行蝕刻包括：

在所述引線框架的正面涂覆干膜以形成涂層；

對不需要鍍銀區域進行曝光；

去除需要鍍銀區域的涂層，并對去除涂層后的需要鍍銀區域進行鍍銀，形成所述第一銀層；

去除未鍍銀區域的涂層，并對未鍍銀區域進行半蝕刻。

6.根據權利要求1～4任一項所述的芯片結構的制備方法，其特征在于，所述第一銀層的厚度為0.22微米～2微米，所述第二銀層的厚度為2微米～60微米。

7.根據權利要求1～4任一項所述的芯片結構的制備方法，其特征在于，采用機械研磨工藝去除所述引線框架上除所述連接凸起以外的部分包括：

采用研磨砂輪對所述引線框架進行研磨，以去除所述引線框架上除所述連接凸起以外的部分，研磨砂輪的轉速為300轉/秒～2000轉/秒。

8.根據權利要求1～4任一項所述的芯片結構的制備方法，其特征在于，在采用機械研磨工藝去除所述引線框架上除所述連接凸起以外的部分之后，還包括以下步驟：

采用機械研磨工藝去除部分的所述連接凸起，剩余的所述連接凸起的厚度為50微米～500微米。

9.根據權利要求1～4任一項所述的芯片結構的制備方法，其特征在于，所述引線框架為銅框架或銅合金框架。

10.一種芯片結構，其特征在于，采用如權利要求1～9任一項所述的芯片結構的制備方法制得。