[發明專利]顯示面板及其制備方法與顯示裝置在審
| 申請號: | 202210818166.9 | 申請日: | 2022-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN115050801A | 公開(公告)日: | 2022-09-13 |
| 發明(設計)人: | 覃事建 | 申請(專利權)人: | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 彭宇 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括彎折顯示區,所述顯示面板包括:
基板;
薄膜晶體管層,設置于所述基板上,包括多個設置于所述彎折顯示區的第一薄膜晶體管;
第一絕緣層,設置于所述薄膜晶體管層上,包括多個接觸孔;
金屬連接層,設置于所述第一絕緣層上,包括多個設置于所述彎折顯示區的第一連接部,一所述第一連接部通過一所述接觸孔與對應的一所述第一薄膜晶體管搭接;
第二絕緣層,設置于所述金屬連接層上,包括多個設置于所述彎折顯示區且貫穿所述第二絕緣層的凹槽;
電極層,設置于所述第二絕緣層上,包括多個設置于所述彎折顯示區的第一電極,一所述第一電極通過所述凹槽與一所述第一連接部搭接;
其中,所述第一電極通過所述凹槽與所述第一連接部間形成的搭接面沿所述第一方向的長度大于所述第一電極沿所述第一方向長度的三分之一,所述第一方向與所述彎折顯示區彎折軸的方向呈預設夾角。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一方向與所述彎折顯示區彎折軸延伸方向相垂直。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一電極包括沿所述彎折顯示區彎折軸延伸方向的第一中軸線,所述凹槽相較所述第一中軸線呈對稱設置。
4.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽對應設置于所述第一電極的邊緣區域且沿所述第一電極的邊緣延伸設置,所述凹槽沿所述第一方向的長度大于所述第一電極沿所述第一方向長度的三分之一。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述第一電極包括沿所述第一方向的第二中軸線,所述凹槽對應設置于所述第一電極中位于所述第二中軸線一側的邊緣區域且沿所述第一電極的邊緣延伸設置。
6.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽對應設置于所述第一電極的邊緣區域且沿所述第一電極的邊緣環繞設置,所述第一電極通過所述凹槽與所述第一連接部的形成的搭接面呈環形。
7.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽包括多個間隔設置的子凹槽,所述第一電極通過多個所述子凹槽與所述第一連接部的形成的多個搭接子面沿所述第一方向的長度之和大于所述第一電極沿所述第一方向長度的三分之一。
8.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一連接部包括連接主部以及所述連接主部連接的連接走線部,所述連接主部與所述薄膜晶體管搭接,所述連接走線部與所述第一電極搭接,其中,所述連接走線部呈波浪形構造。
9.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,所述顯示面板包括彎折顯示區,所述制備方法包括如下步驟:
S10:提供一基板,在所述基板上形成薄膜晶體管層,所述薄膜晶體管層包括多個設置于所述彎折顯示區的第一薄膜晶體管;
S20:在所述薄膜晶體管層上形成第一絕緣層,所述第一絕緣層包括多個接觸孔;
S30:在所述第一絕緣層上形成金屬連接層,所述金屬連接層包括多個形成于所述彎折顯示區的第一連接部,一所述第一連接部通過一所述接觸孔與對應的一所述第一薄膜晶體管搭接;
S40:在所述金屬連接層上形成第二絕緣層,所述第二絕緣層包括形成于所述彎折顯示區且貫穿所述第二絕緣層的凹槽;
S50:在所述第二絕緣層上形成電極層,所述電極層包括多個形成于所述彎折顯示區的第一電極,一所述第一電極通過所述凹槽與一所述第一連接部搭接,所述第一電極通過所述凹槽與所述第一連接部間形成的搭接面沿所述第一方向的長度大于所述第一電極沿所述第一方向長度的三分之一,所述第一方向與所述彎折顯示區彎折軸的方向呈預設夾角。
10.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括權利要求1-9任意一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





