[發明專利]柔性裝置和電子設備在審
| 申請號: | 202210817659.0 | 申請日: | 2022-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN115632051A | 公開(公告)日: | 2023-01-20 |
| 發明(設計)人: | 李啟滉;尹英俊;鄭鐘元 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H10K59/12;H10K59/125;H10K59/122;H10K59/121;H10K39/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王新華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 裝置 電子設備 | ||
1.一種柔性裝置,包括:
基板,包括第一區域和第二區域,所述第一區域具有第一彈性模量,所述第二區域具有低于所述第一彈性模量的第二彈性模量;
在所述基板上的間隔開的多個像素電路;以及
多個單元器件,每個單元器件電連接到所述多個像素電路中的單獨的像素電路,
其中所述多個像素電路中的每個像素電路包括多個薄膜晶體管,
其中所述多個薄膜晶體管的第一部分在所述基板的所述第一區域上,以及
其中所述多個薄膜晶體管的第二部分在所述基板的所述第二區域上。
2.根據權利要求1所述的柔性裝置,其中
所述多個薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,
所述第一薄膜晶體管在所述基板的所述第一區域上,以及
所述第二薄膜晶體管在所述基板的所述第二區域上。
3.根據權利要求2所述的柔性裝置,其中
所述第一薄膜晶體管包括不可拉伸半導體層,以及
所述第二薄膜晶體管包括可拉伸半導體層。
4.根據權利要求3所述的柔性裝置,其中所述可拉伸半導體層包括半導體材料和彈性體。
5.根據權利要求4所述的柔性裝置,其中所述半導體材料包括有機半導體、氧化物半導體或其任意組合。
6.根據權利要求3所述的柔性裝置,其中所述可拉伸半導體層包括有機半導體。
7.根據權利要求2所述的柔性裝置,其中
所述第一薄膜晶體管是驅動薄膜晶體管,以及
所述第二薄膜晶體管是開關薄膜晶體管。
8.根據權利要求1所述的柔性裝置,其中
所述基板的所述第一區域是以特定間隔間隔開的多個島狀區域,以及
所述基板的所述第二區域是所述基板的可拉伸區域并且是在所述多個島狀區域之間連續延伸的單一連續結構。
9.根據權利要求8所述的柔性裝置,還包括:
在所述基板的所述可拉伸區域上的連接線,所述連接線電連接所述多個單元器件中的相鄰的單元器件。
10.根據權利要求1所述的柔性裝置,其中
所述基板的所述第一區域包括
以特定間隔間隔開的多個島狀區域,和
連接所述多個島狀區域的連接區域。
11.根據權利要求10所述的柔性裝置,還包括:
在所述基板的所述連接區域上的連接線,所述連接線電連接所述多個單元器件中的與分離的相應相鄰的島狀區域至少部分地重疊的相鄰的單元器件。
12.根據權利要求10所述的柔性裝置,其中所述基板的所述第二區域包括多條切割線,所述多條切割線配置為通過外力可變形。
13.根據權利要求1所述的柔性裝置,其中所述第一彈性模量是所述第二彈性模量的10倍至108倍。
14.根據權利要求1所述的柔性裝置,其中
所述基板的所述第一區域包括聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚砜或其任意組合,以及
所述基板的所述第二區域包括聚有機硅氧烷、包含丁二烯部分的聚合物、包含氨基甲酸乙酯部分的聚合物、包含丙烯酸部分的聚合物、包含烯烴部分的聚合物或其任意組合。
15.根據權利要求1所述的柔性裝置,其中
所述基板的所述第一區域包括第一聚合物,以及
所述基板的所述第二區域包括第二聚合物,
其中所述第一聚合物和所述第二聚合物包括至少一個相同的結構單元。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星電子株式會社,未經三星電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202210817659.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:基于輻射的醫療系統和監測裝置
- 下一篇:電力供求調整方法以及電力供求管理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





