[發明專利]一種5’瓣狀核酸酶介導的等溫擴增方法在審
| 申請號: | 202210813606.1 | 申請日: | 2022-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN116064745A | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發明(設計)人: | 李靜;張璐璐;查洋;陳銀薩;蔣廣志;陳金薩 | 申請(專利權)人: | 上海宏序生物科技有限公司 |
| 主分類號: | C12Q1/6848 | 分類號: | C12Q1/6848 |
| 代理公司: | 上海灃成知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31425 | 代理人: | 徐洋洋 |
| 地址: | 201318 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 核酸酶 等溫 擴增 方法 | ||
本發明是一種等溫擴增方法,利用Taq酶的5’瓣狀核酸內切酶的特性,釋放出互補配對的適配子;適配子之間互補擴增補齊缺口;全長適配子解鏈后的單鏈可識別體系中環裝質粒目的區域,在等溫擴增酶的作用下進行等溫擴增;本方法包括引物組、適配子序列、探針序列、外源環狀質粒;所用酶包括taq酶、Bst酶等,本發明優點在于:減少引物對,降低設計難度;2.特異性高,假陽性率低;3.設計簡單,可規模化檢測;方便拓展應用范疇。
技術領域
本發明涉及核酸等溫擴增領域,具體涉及利用Taq酶的5’瓣狀核酸內切酶等溫擴增領域。
背景技術
近年來分子生物學技術有了迅猛的發展,為了適應不同環境、不同樣本及不同目的的檢測需求,多種等溫擴增方法應運而生。其中,環介導等溫擴增技術(loop-mediatedisothermal?amplification,LAMP)和交叉引物等溫擴增技術(Crossing?PrimingAmplification,CPA)是其中應用最廣的兩種方案。LAMP擴增流程如圖1所示;CAP具體擴增流程如圖2所示。
目前等溫擴增技術存在兩個問題:1.引物設計難:上述方法需要設計至少3對引物才能完成擴增,考慮到引物的特異性、長度、Tm值等因素,對上述等溫擴增方法引物的設計就變得比較難。另外由于DNA重復序列、GC含量高區域等因素的存在,不是所有的位點都可以采用上述兩種方案進行擴增。2.假陽性高:由于等溫擴增極強的敏感性,反應環境中若是存在污染或引物有非特異的擴增,極易產生假陽性結果,對檢測造成誤判。
發明內容
發明目的:提供一種設計簡單、特異性靈敏度高、假陽性低的等溫擴增方法,以解決現有技術引物設計復雜、假陽性率高的問題。
技術方案:一種等溫擴增方法,利用Taq酶的5’瓣狀核酸內切酶(FEN1,flapendonuclease1)的特性,釋放出互補配對的適配子。適配子之間互補擴增補齊缺口。全長適配子解鏈后的單鏈可識別體系中環裝質粒目的區域,在等溫擴增酶的作用下進行等溫擴增。
本方法包括引物組、適配子序列、探針序列、外源環狀質粒;所用酶包括taq酶、Bst酶等。
整個方法步驟如下:
步驟A設計引物集合
針對目的基因設計引物,引物包含兩對,分別為A/B和C/D。
A/B為外側雙向引物,引物長度為10-60nt,最佳為18-24nt,用于錨定目的基因。擴增子長度不限,以100bp-1Kb為佳。A/B結構可以無特殊修飾,也可以增加部分修飾以達到提高特異性、穩定引物結構的目的,例如硫代修飾等。A/B引物序列與外源質粒無識別區域。
C/D為內側雙向引物,一方面對目的基因進行進一步錨定以提高特異性,另一方面,C/D引物5’端分別為探針PC/PD序列,用于后續釋放探針識別外源質粒;3’端為目的基因錨定引物C’和D’,用于對目的基因的識別和退火。C/D引物在實際反應中可以是一對,也可以是多對。C/D結構圖示如圖3所示。
C’/D’識別區域位于A/B引物對的擴增范圍內,引物長度為10-60nt,最佳為18-24nt;
C’/D’引物序列與外源質粒無識別區域,特別是3’端無識別區域;
C’/D’可以無特殊修飾,也可以增加部分修飾以達到提高特異性、穩定引物結構的目的,例如硫代修飾等;
C’/D’可以3’端1-5個堿基與目的基因不同,達到阻斷延伸的作用,最佳為2-3個;
C’/D’可以3’端加入雙脫氧胞嘧啶修飾,達到阻斷延伸的作用;
探針PC包括兩部分序列,外源質粒識別序列C1和適配子序列1;
探針PD包括兩部分序列,外源質粒識別序列D1和適配子序列2;
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