[發明專利]一種巨介電CCTO陶瓷的還原-再氧化制備方法

在審

• 申請號: 202210813020.5
• 申請日: 2022-07-11
• 公開（公告）號: CN114956805A
• 公開（公告）日: 2022-08-30
• 發明（設計）人: 祖昊;何曉娟;張勝;黃慧;王傳豐;劉慧;邊健;豐遠;嚴亮
• 申請（專利權）人: 合肥學院
• 主分類號: C04B35/462
• 分類號: C04B35/462;C04B35/622;C04B35/638
• 代理公司: 北京康達聯禾知識產權代理事務所(普通合伙) 11461
• 代理人: 尚婷

1.一種巨介電CCTO陶瓷的還原-再氧化制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將CaCO₃、CuO、TiO₂以及Bi₂O₃按化學式Ca_1-xBi_xCu₃Ti_4-yO₁₂稱取，其中0.02≤x≤0.5，0≤y≤0.2，加去離子水進行球磨，將所得漿料烘干、過篩得到粉體；

S2、將S1中獲得的粉體在750℃-950℃下空氣氣氛進行預燒，根據化學式Ca_1-xBi_xCu₃Ti_4-yO₁₂+zBN稱取BN，其中0≤z≤0.2，再次加去離子水進行球磨，將所得漿料烘干、過篩得到第二粉體；

S3、向S2獲得的第二粉體中加入PVA，研磨、過篩并壓片成型，獲得的生坯在空氣氣氛中500℃-600℃下進行排膠；

S4、將S3獲得的生坯在惰性氣體或惰性氣體與氫氣的混合氣體中燒結，燒結溫度在900℃-1100℃，獲得還原的CCTO陶瓷；

S5、將S4獲得的還原的CCTO陶瓷，在氧氣或空氣氣氛中400℃-850℃下進行再氧化處理，獲得巨介電CCTO陶瓷。

2.根據權利要求1所述的一種巨介電CCTO陶瓷的還原-再氧化制備方法，其特征在于，所述S1中還包含Al、Ni、Mg元素中任意一種元素組成的化合物，加入總量不超過混合物的40mol％。

3.根據權利要求1所述的一種巨介電CCTO陶瓷的還原-再氧化制備方法，其特征在于，所述S4中需要結合埋粉或密封燒結以形成富銅氣氛。

4.一種巨介電CCTO陶瓷，由權利要求1-3任一所述的巨介電CCTO陶瓷的還原-再氧化制備方法制備，其特征在于，所述巨介電CCTO陶瓷的組成為：

Ca_1-xBi_xCu₃Ti_4-yO₁₂+zBN

其中，0.02≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0≤z≤0.2。